記憶體成本大幅攀升，Apple 宣布調漲旗下產品

智慧型手機龍頭 Apple 於 6 月 25 日宣布調漲旗下 Mac, iPad 等多款產品售價，漲幅達雙位數，主要原因在於近期記憶體價格大幅上漲，對下游消費性電子廠商造成顯著成本壓力。Apple 執行長 Tim Cook 表示，記憶體供應商正將龐大的成本壓力向下游轉嫁，迫使 Apple 不得不調漲產品售價。除 Apple 外，Microsoft 亦宣布自 8 月 1 日起全面調漲 Xbox 遊戲主機售價，Lenovo、HP 與 Dell 三大 PC 品牌廠也早於 4 月底陸續向全球消費市場發出漲價或縮減記憶體容量的通知。上述動向顯示，此波漲價並非單一品牌的個別行為，而是記憶體成本大幅攀升後，整體消費性電子產業共同面臨的結構性成本壓力。

產品	舊售價（USD）	新售價（USD）	漲幅
MacBook Neo（入門款）	599美元	699美元	+16.7%
MacBook Air 13 英寸	1,099 美元	1,299美元	+18.2%
MacBook Pro 14 吋	1,699 美元	1,999 美元	+17.6%
MacBook Pro 16 吋	2,699 美元	2,999 美元	+11.1%
iMac（入門款）	1,299美元	1,499美元	+15.4%
iPad Air 11 寸	599美元	749美元	+25.0%
iPad Air 13 寸	799美元	949美元	+18.8%
iPad Pro	999美元	1,199美元	+20.0%
HomePod	299美元	349美元	+16.7%
HomePod mini	99美元	129美元	+30.3%
Apple TV	149美元	199美元	+33.6%
Vision Pro	3,499 美元	3,699 美元	+5.7%
iPhone／Apple Watch／AirPods	—	未調整	—

表一：蘋果各商品調漲幅度 資料來源：口袋證券、Apple官方網路商店公告（2026年6月25日）、9to5Mac、Bloomberg

消費性記憶體市場失衡與記憶體供給結構高度相關

消費性記憶體市場失衡與記憶體供給市場結構高度相關。 記憶體在消費性電子產品中主要為 DRAM 與 NAND 應用居多，分別負責運算記憶與資料儲存功能，並大量應用於伺服器、PC、智慧型手機與資料中心等終端市場。兩類產品合計占據全球記憶體市場絕大部分營收與出貨規模，因此其供需變化將直接影響整體消費性電子產業的成本結構與供貨穩定性。

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全球 DRAM 市場供給由三大原廠主導

DRAM 是現代運算的核心組成部分，具有高速讀寫、高頻寬的特性，無論是伺服器、PC、筆電或智慧型手機，所有系統在執行作業系統與應用程式時，都必須仰賴 DRAM 作為系統記憶體。

全球 DRAM 市場供給主要由 Samsung、SK Hynix 與 Micron 三大原廠主導，核心原因在於 DRAM 產業具備高度資本密集、技術密集與規模經濟特性。 DRAM 生產需投入龐大晶圓廠資本支出，並持續推進先進製程、微縮技術、良率控制與製程整合能力，形成極高進入門檻。同時，DRAM 屬於高度標準化產品，價格容易受到供需循環影響，過去多次景氣下行亦造成產業獲利大幅波動，使缺乏成本優勢與資金實力的廠商逐步退出市場或被整併。隨著製程難度提升與投資規模擴大，產業集中度進一步提高，目前三大原廠合計市占率仍超過 80%，整體市場維持高度寡占格局。

NAND 應用與價值鏈分工多元，供應商數量相對 DRAM 分散

NAND Flash 主要負責長期資料儲存，並在容量、成本與資料保存特性上具備優勢，應用範圍涵蓋個人端 SSD、手機與平板內建儲存空間、車用與工控設備嵌入式儲存，以及資料中心大量部署的企業級 SSD。

相較於 DRAM，NAND 市場供應商數量較多，主要原因在於 NAND 應用範圍更廣、產品型態更多元，且市場可依容量、成本、讀寫速度、控制器與終端應用進行區隔，下游亦有較多模組廠與品牌廠參與。 主要市場參與者包括 Samsung、SK Hynix、Kioxia、Micron、SanDisk 與中國長江存儲。整體而言，NAND 市場仍屬寡占結構，但由於產品應用與價值鏈分工較 DRAM 多元，使可參與的供應商數量相對較多。

AI 需求排擠消費性記憶體產能，推升供需失衡情形

除了供給產能掌握在少數原廠手中外，近年 AI 應用快速發展亦進一步加劇記憶體供需失衡。隨著資料中心對大型模型訓練與推論運算需求大幅提升，高速與高頻寬資料傳輸需求同步增加，進而推升高頻寬記憶體需求快速成長。由於 HBM 單位產品毛利約為傳統 DRAM 的三至五倍，Samsung、SK Hynix 與 Micron 持續將晶圓產能轉向 HBM 生產。然而，三大原廠掌握全球大多數 DRAM 供給，當產能配置優先轉向 HBM 後，實際可供應至 DDR4、DDR5 與 Mobile DRAM 等傳統產品的產能便大幅下降，形成對傳統 DRAM 的排擠效應，使相關產品產能難以跟上需求成長。

同時，AI 資料中心建置亦帶動儲存需求快速增加，使主力儲存媒介 HDD 出現供不應求情況。由於 HDD 長期缺乏擴產投資且交期較長，短期內難以滿足快速增加的儲存需求，促使大型 CSP 轉向採購企業級 SSD 作為替代方案，推升企業級 SSD 需求高於市場預期。 由於企業級 SSD 毛利率高於消費級 SSD，NAND 市場亦出現類似於 DRAM 的產能排擠效應。另一方面，過往原廠積極擴產曾導致供過於求，並造成記憶體產業獲利大幅衰退，因此自 2024 年底以來，各大 NAND 原廠普遍採取較保守的資本支出策略，降低投片量並延後新產能建置，以避免重演供給過剩導致價格崩跌的情況，進一步加劇當前記憶體供不應求的局面。

排擠效應、需求大幅提升，以及記憶體原廠謹慎的擴產策略，共同推升 DRAM 與 NAND 價格連續數季大幅上漲。 根據 TrendForce 數據，2026 年第 1 季記憶體價格已較 2025 年第 4 季上漲 80% 至 90%，並預估第 2 季傳統 DRAM 合約價將再季增 58% 至 63%，NAND Flash 則季增 70% 至 75%。若將時間拉長觀察，自 2022 年以來，商用 DRAM 價格累計漲幅已達 700%；消費性市場方面，智慧手機使用的 Mobile DRAM 單季價格上漲 78%，筆記型電腦所使用的 SSD 價格則在一年內翻倍，導致下游廠商成本快速攀升。

中國記憶體廠在國家政策支持下快速崛起

在全球記憶體市場陷入嚴重供不應求的背景下，受美國出口限制影響，中國記憶體市場逐漸形成相對獨立、以供應內需為主的供需體系。 疫情後，儘管 AI 應用快速發展帶動全球記憶體需求大幅成長，但各大國際原廠仍普遍選擇以謹慎態度進行產能擴張。相較之下，中國供應商為強化國內供應鏈自主性，反而在國家政策支持下積極擴產，其中以長鑫存儲與長江存儲最具代表性。

長鑫存儲為中國唯一具備大規模量產能力的 DRAM IDM

長鑫存儲成立於 2016 年，為中國唯一具備大規模量產能力的 DRAM IDM，專注於 DRAM 晶片的設計、研發、生產與銷售。 目前公司於合肥與北京擁有三座 12 吋晶圓廠，並正於上海興建 HBM 封裝廠，產品以 DDR4、DDR5 為主，主要銷售對象為中國國內客戶。

雖然長鑫存儲成立時間較短，但在美國對中國半導體產業實施出口管制後，中國已將記憶體視為國家資訊安全與科技戰略的核心環節。長鑫存儲作為具國有背景的儲存晶片製造商，在政策引導與資金支持下快速擴張，2021 至 2025 年期間月產能以 51% CAGR 成長至 17.3 萬片，成為 SK Hynix, Samsung, Micron 外全球第四大 DRAM 供應商。

千片/月產能	2021	2022	2023	2024	2025
Samsung	584	653	527	614	655
SK Hynix	356	393	352	416	528
Micron	355	353	278	314	333
長鑫存儲	50	54	90	173	260f

表二：2021-2025 年全球主要 DRAM 供應商投片量變化 資料來源：TrendForce

長江存儲近年逆勢擴產，於競爭激烈的 NAND 市場取得一席之地

長江存儲成立於 2016 年，為紫光集團與中國政府共同投資成立的記憶體廠商，主要業務聚焦於記憶體製造，並以 3D NAND Flash 晶片的設計、研發、生產與銷售為核心。除生產 3D NAND Flash 晶圓與相關儲存產品外，亦以自有品牌切入企業級固態硬碟市場，消費性產品則透過「致態」品牌銷售，主要客戶同樣以中國國內客戶為主。

在 AI 應用尚未快速發展前，各大原廠原先預期 NAND 景氣將隨消費性電子需求放緩而逐步回落，因此陸續減產以控制供給並維持價格與獲利水準。然而，長江存儲為響應中國政府國產替代政策，選擇在產業下行期間逆勢擴產，逐步成為中國國內主要 NAND 供應商，投片量更於 2025 年超越 Micron，成為全球第四大 NAND 供應商。

產能年增率 (%)	2022	2023	2024	2025
Samsung	11	(23)	(3)	(12)
Kioxia/Sandisk	(4)	(17)	12	(10)
SK Hynix	50	(20)	(8)	8
Micron	(1)	(21)	7	(9)
長江存儲	47	23	4	18
全球	11	(18)	2	(5)

表三：2022-2025 年全球主要 NAND 供應商產能年增率變化 資料來源：TrendForce

美國禁令限制下，中國記憶體廠技術與產量持續追近國際原廠

由於市場對中國政府介入企業營運存有疑慮，美國近年陸續將多家中國廠商列入出口管制清單或美國國防部 1260H 名單，禁止最先進半導體設備出售至中國，亦限制外國客戶採購清單內企業產品。 儘管面臨多重限制，中國記憶體廠仍憑藉國家政策引導與資金支持持續發展，不僅產量已逐步追近全球主要原廠，技術差距亦持續縮小。以長鑫存儲為例，公司已量產 DDR5 產品並著手 HBM 研發；長江存儲則在 3D NAND 技術持續推進，顯示中國記憶體廠在產品世代與先進技術布局上正逐步追近國際原廠。整體而言，美國出口管制雖對中國記憶體產業取得先進設備與拓展海外客戶造成限制，但在國產替代政策與內需市場支撐下，中國記憶體廠仍具備持續擴產與技術追趕動能，未來將對全球記憶體供需與競爭格局造成影響。

Apple 策略性採購中國記憶體，強化對原廠談判籌碼

Apple 傳計畫採購長鑫存儲 DRAM，惟短期內效果有限

由於 AI 相關應用大量搶購記憶體，迫使消費性電子廠商跟進提高報價以確保供貨，短期內只能透過自行吸收成本或調漲終端售價因應。然而，隨著記憶體報價持續上升，消費性電子廠商已難以長期承受成本壓力，開始尋求替代供應來源與成本控管方式。 在中國記憶體廠商技術與產量逐步追近三大原廠的背景下，部分客戶已開始評估採購可行性。作為消費性電子指標廠商，Apple 率先採取行動，市場傳出公司計畫採購長鑫存儲 DRAM，以降低對既有原廠供應的依賴。

然而，預期此舉短期內對記憶體市場的實質影響仍相對有限，主要原因可歸納為以下幾點：

1. 地緣政治因素影響採購

長鑫存儲已被列入美國國防部 1260H 名單，儘管市場一度傳出其有望除名，但最新 6 月名單中長鑫存儲仍在列。雖然該名單並非直接出口禁令，但仍涉及敏感供應鏈審查，Apple 若要導入長鑫存儲產品，仍需面對美國政府監管與供應鏈合規審查壓力。

2. 長鑫存儲產品尚未達 Apple 高規格要求

身為全球領先消費性電子品牌，Apple 對零組件規格要求極高，尤其在記憶體方面，需滿足 LPDDR5X 傳輸速率逾 10Gbps、工作電壓約 1.1V等功能要求。儘管長鑫存儲現有 LPDDR5X 最高速率已達標準，但受限於缺乏先進設備所造成的製程技術落後，其晶片電容與漏電流仍相對偏高，使功耗與散熱表現較難完全符合旗艦 iPhone 的嚴苛規格要求。

3. 專利訴訟風險

全球 DRAM 核心專利池長期由 Samsung, SK Hynix 與 Micron 等原廠主導，若 Apple 大規模採用長鑫存儲產品，可能面臨第三方專利侵權訴訟風險，進一步增加供應鏈法律成本與不確定性。

Apple 轉向中國並非供應鏈轉移，核心意圖在強化對原廠談判籌碼

基於上述限制，預期 Apple 此舉並非尋求可完全取代三大原廠的記憶體供應商，而是意在將中國 DRAM 供應商納入潛在合格供應名單，作為後續與 Samsung, SK Hynix 及 Micron 洽談 2027 年供貨合約時的議價籌碼，以壓低報價並爭取急單溢價緩衝。 尤其在 AI 需求持續擠壓消費級記憶體產能、合約價格快速上行的背景下，具備替代供應選項本身即能提升 Apple 對原廠的談判能力。加上 Apple 採購規模龐大，具備規模經濟優勢與品牌影響力，預期此舉將有助於其與其他手機品牌拉開相對差距，並可能促使其他消費性電子廠商評估跟進。

結論

整體而言，本輪記憶體價格大幅上漲並非單一品牌或短期事件，而是 AI 需求快速擴張、記憶體供給高度集中，以及原廠產能轉向高毛利 HBM 與企業級 SSD 等因素共同造成的結構性供需失衡。 由於 DRAM 與 NAND 皆為消費性電子產品的關鍵零組件，價格上行已開始明顯傳導至 Apple, Microsoft 與主要 PC 品牌廠，迫使下游廠商透過漲價、縮減規格或尋找替代供應來源因應。

對 Apple 而言，採購長鑫存儲 DRAM 短期內並不代表供應鏈全面轉移，而是更偏向策略性導入潛在替代供應商，藉此在 2027 年供貨合約談判中強化對原廠的議價籌碼，降低記憶體成本上行對產品毛利與定價策略的壓力。未來若記憶體供需緊張延續，預期中國供應商在全球記憶體產業中的影響力將持續提升，並可能進一步改變消費性電子品牌與傳統記憶體原廠之間的議價關係。