記憶體是什麼？

在現今的科技生活中，我們都已經無法離開各項電子設備。你是否曾經想過，當我們在滑動手機螢幕或是開啟電腦應用程式的時候，背後究竟有哪些元件在幫助我們完這些操作？這一切的關鍵，都離不開一項核心技術：記憶體（Memory）。

無論是負責短期資料暫存的 DRAM，或是長期資料儲存的 Flash，記憶體早已成為電子系統中不可或缺的基礎元件，不僅影響運算效能，也深刻牽動著使用者體驗與產品設計策略。本篇將介紹記憶體的主要分類與技術特性，並了解這些記憶體類型如何實際應用於我們日常所使用的電子設備中，以及這些記憶體產品究竟是由哪些全球企業製造的。

記憶體（Memory）是電子系統中用來儲存資料與執行指令的關鍵元件，廣泛應用於個人電腦、智慧型手機、伺服器與人工智慧等高效能裝置。記憶體的功能可比喻為人類大腦，區分為短期與長期儲存，在數位裝置中扮演暫存與持久儲存資料的重要角色。

根據是否能在斷電後保留資料，記憶體可分為以下兩大類型：

揮發性記憶體（Volatile Memory）

揮發性記憶體主要用於暫時儲存即時運算所需的資料與指令，當系統斷電時資料即會消失，為電子系統中不可或缺的短期記憶單元。主要可區分為以下兩種：

1. DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取記憶體）

為目前最常見的主流記憶體，由電晶體與電容器構成。電晶體負責控制資料的存取，電容器則用來儲存電荷。然而電容器上的電荷會隨時間逐漸流失，因此需透過週期性的刷新（Refresh）機制維持資料完整性，這也正是「動態（Dynamic）」記憶體的命名由來。

DRAM 可依據使用場景和封裝架構，再細分為：

• DDR（Double Data Rate）雙倍資料速率：如 DDR4、DDR5，為通用型主記憶體。
• HBM（High Bandwidth Memory）高頻寬記憶體：搭載於 AI 加速器與 GPU，強調高速度與高能效，為高階應用主力。

HBM 利用 TSV 3D 堆疊技術，並強調高頻寬處理，加快了運算效能，因次被應用在 AI 硬體、伺服器等需要高效能運算的場景。

2. SRAM（Static Random Access Memory，靜態隨機存取記憶體）

與 DRAM 相比，SRAM 不需刷新即可維持資料穩定，具有讀寫速度快、功耗低等優點，惟製程面積大、成本較高，因此多用於 CPU 的快取記憶體（Cache）中，作為處理器與主記憶體間的高速緩衝區。

非揮發性記憶體（Non-Volatile Memory）

非揮發性記憶體可在系統斷電後仍保留資料內容，主要用途為長期儲存與資料備份，廣泛應用於各類儲存裝置與嵌入式系統中。主要類型如下：

1. Flash Memory（快閃記憶體）

為目前應用最廣泛的非揮發性記憶體，其具備高儲存密度、低成本、可重複擦寫等特性，是現代固態儲存技術的核心。根據儲存結構與應用需求，Flash 記憶體可細分為：

• NAND Flash：以串列方式儲存資料，具高度儲存密度與良好寫入效率，為主流的資料儲存媒介。廣泛應用於固態硬碟（SSD）、智慧型手機與 USB 裝置。
• NOR Flash：以並聯方式儲存資料，提供較快的讀取速度與穩定性，適用於韌體（firmware）、BIOS、微控制器等嵌入式裝置。

2. ROM（Read Only Memory，唯讀記憶體）

為最早期的非揮發性記憶體形式，資料於出廠時即寫入，使用者無法修改。雖然現今多數應用已由 Flash Memory 取代，但在某些對穩定性要求極高的嵌入式系統中仍有使用。

記憶體類別實例

以 A牌電競筆電為例

透過實際產品資訊，我們可以更直觀地理解記憶體的分類與在終端設備中的配置。以下以一款 A 牌筆電為例，其主要硬體規格如下：

• Intel Core i7-13620H：CPU，負責執行主要運算任務。
• 16GB DDR5-4800 SO-DIMM：屬於 DRAM，此處為 DDR5，資料傳輸速率為 4800 MT/s，提供高速暫存空間供 CPU/GPU 使用。
• 512GB PCIe SSD：屬於 NAND Flash，為主要的儲存裝置，儲存作業系統、應用程式與檔案。
• NVIDIA GeForce RTX 4060 8GB GDDR6：GPU，搭載 GDDR6 記憶體，屬於 DDR 分類的衍生類型，用於圖像與 AI 加速任務。

這樣的規格配置反映了現代筆電中，記憶體系統如何被分工應用於不同計算任務上，亦突顯了 DRAM 與 NAND Flash 在終端裝置中不可或缺的角色。

為深入理解記憶體產業的技術演進與應用趨勢，我們將接著分別探討 DRAM 中的 DDR 與 HBM，以及 Flash 記憶體中的 NAND 與 NOR，從技術特性、應用場景與市場結構進行說明。

DDR 與 HBM 是什麼

DDR 是什麼？

DDR（Double Data Rate，雙倍資料速率）是一種主流的 DRAM 記憶體技術，其特點是在每一個時脈週期中同時利用上升緣與下降緣（即強拍與弱拍）傳輸資料，使得資料傳輸速率在相同時脈頻率下翻倍。

時脈：記憶體與處理器進行資料同步與控制的節奏信號，就像節拍器。

簡單來說，DDR 就像是將資料傳輸通道「拓寬成兩條車道」，在相同時間內可通過更多資料，提升整體記憶體的效率與頻寬表現。其技術已發展至第五代（DDR5），每一代在頻寬、功耗與容量支援上持續進化，為電腦、伺服器與消費電子裝置提供高效暫存支援。

HBM 是什麼？

高頻寬記憶體（ HBM, High Bandwidth Memory）是一種專為高效能運算（ HPC ）與人工智慧（ AI ）應用設計的記憶體技術，具有高頻寬、低延遲與低功耗等特性。HBM 採用 3D 堆疊技術，將多個 DRAM 晶片垂直堆疊，並透過矽穿孔（ TSV, Through-Silicon Via）技術實現高速資料傳輸。這種設計使得 HBM 如同一條立體的高速公路，能夠滿足 AI 晶片與頂級顯示卡對高速資料傳輸的需求。

2025 年，HBM3E 成為高效能記憶體的主流。HBM3E 是 HBM3 的擴展版本，採用更先進的製程節點（如 Micron 的 1β）與封裝技術（如 CoWoS、SiP），提升了效能與良率。此外，HBM3E 支援更高的堆疊層數，容量從 HBM3 的 24 GB 提升至 36 GB，單堆疊頻寬可達 1.2 TB/s。這使得 HBM3E 成為 NVIDIA GB300 等高階 AI 晶片的首選記憶體。

目前，業界已開始推動 HBM4 及其擴展版本 HBM4E 的研發及量產準備。預計 NVIDIA 的下一代 Rubin 平台將搭載 HBM4，以應對更大規模的 AI 模型訓練與推論需求。HBM4 預計將進一步提升記憶體頻寬與容量，滿足未來高效能運算的挑戰。

NAND Flash 是什麼？

NAND Flash 是目前主流的非揮發性記憶體架構，其命名來自於其內部儲存單元採用類似 NAND 邏輯閘的串聯設計，具備高儲存密度、寫入效率佳、製造成本低等優勢。其設計特性使得資料儲存以區塊為單位，雖然隨機讀取不如 NOR Flash 快，但非常適合大量資料的儲存與傳輸。

隨著技術演進，NAND Flash 已從平面結構進化至 3D NAND，透過垂直堆疊儲存單元以提升儲存密度，堆疊層數已超過 200 層。此外，根據每個儲存單元可儲存的位元數，NAND Flash 可分為：

種類	儲存 & 特性	主要應用
SLC（ Single-Level Cell ）	每單元儲存 1 bit，具備最高的耐用性與速度，寫入壽命約 100,000 次	主要應用於工業與企業級設備
MLC（ Multi-Level Cell ）	每單元儲存 2 bits，平衡成本與性能，寫入壽命約 3,000–10,000 次	常見於一般消費性產品
TLC（ Triple-Level Cell ）	每單元儲存 3 bits，成本更低，寫入壽命約 1,000 次	為主流的消費級 SSD 與記憶卡選擇
QLC（ Quad-Level Cell ）	每單元儲存 4 bits，提供更高的儲存密度與更低的成本，寫入壽命約 500 次	適用於讀取頻繁但寫入較少的應用（適用於 reasoning AI），如雲端儲存與資料備份

可以將 NAND Flash 想像成一座大型資料倉庫，適合儲存大量資料，但在隨機讀取速度上略遜於其他記憶體類型。

NOR Flash 是什麼？

NOR Flash 為另一種非揮發性記憶體，名稱來自其儲存單元結構與 NOR 邏輯閘類似，採用並聯方式設計。它的特點在於可提供快速、隨機的讀取能力與高度穩定性，適合應用於儲存程式碼與執行啟動指令。

NOR Flash 常見應用包括：

• 嵌入式系統的韌體儲存（Firmware / BIOS）
• 車用電子與工控設備
• 微控制器內建記憶體（MCU Flash）

此外，NOR Flash 可支援 Execute in Place（XIP） 技術，允許裝置直接從 Flash 執行程式碼，無需搬移至 RAM，是嵌入式市場中不可或缺的解決方案。

可以想像成開機引導型記憶體：指令反應快、穩定性高，適合處理小而重要的任務。

全球記憶體公司介紹

在釐清了記憶體的基本分類，包括 DRAM、NAND、SRAM 等等，讓大家對這個關鍵元件有了初步的認識後，接下來我們就要繼續分享這些記憶體產品究竟由哪些全球企業製造？

三星電子（Samsung Electronics）

三星半導體（DS Division）長年穩居全球記憶體龍頭，產品涵蓋 DRAM、NAND Flash、HBM 以及先進封裝。

• DRAM ：主打 DDR5／LPDDR5X 與 HBM3E
• NAND：已在 2024 年啟動 第九代 V‑NAND（≈ 290 層） 初期量產，鎖定高階 SSD 與伺服器市場。

未來趨勢＆展望

• DRAM：AI 伺服器需求持續暢旺，公司將擴大 HBM3E 12‑Hi 與 128 GB 以上高密度 DDR5 模組的產能，強化高附加價值產品比重。
• NAND：官方強調「加速第八代 V‑NAND 於全部應用導入」以壓低成本，同時逐步推升第九代 V‑NAND 量產規模。

隨新一代 GPU 於下半年上市，三星預期 AI 記憶體需求將維持高檔，並持續擴充先進封裝產能（I‑Cube／X‑Cube）以守住高階市場地位

SK 海力士（SK hynix）

SK hynix 為全球第二大記憶體廠，根據 Counterpoint Technology Market Research 數據顯示，SK 海力士在全球動態隨機存取記憶體（DRAM）晶片市場佔據36%的最大份額，佔據主導地位，也是 HBM 技術領跑者。

• DRAM：產品線涵蓋 DDR5／LPDDR5 與 HBM3E，並已在 2025 年 3 月率先向客戶交付 HBM4 12‑Hi 工程樣品
• NAND：預計2025上半年量產 321 層 4D NAND，且透過併購 Intel NAND（Solidigm）切入企業級 SSD 市場。公司亦在清州新廠 M15X 與龍仁園區擴建未來產能，以支撐 AI 記憶體長線需求。

未來趨勢＆展望

• DRAM：公司維持「位元出貨季增低雙位數（low‑teen %）」指引，預計 HBM3E 將於 Q2 完成 8‑Hi→12‑Hi 轉換；全年記憶體位元需求成長仍看「倍數」水準，HBM4 量產排程鎖定 2025 下半年。
• NAND：在 eSSD 與 QLC 大容量市場採利潤優先策略，Q2 位元出貨目標「高個位數至低雙位數（>20 %，含 Solidigm）」，並審慎控制 CapEx。

透過 HBM3E／HBM4 的技術領先與 321 層 NAND 的成本優勢，SK hynix 期望在 AI 伺服器與資料中心高附加價值領域持續擴大市佔。

美光（Micron）

美光是全球第三大記憶體製造商，也是唯一的美國本土 DRAM 供應商。

• DRAM：量產 1‑β／1‑γ DDR5／LPDDR5X，HBM 產品已由 HBM3E 8‑Hi 升級至 HBM3E 12‑Hi，並明確表示 HBM4 將於 2026 年量產 。
• NAND：現行主力節點為 232‑層 TLC／QLC 3D NAND（G9）
• 產能布局：2025 年初在新加坡動工 HBM 先進封裝廠，預計 2027 年啟用；愛達荷州新 DRAM 晶圓廠與台灣 DRAM 測試廠同步施工中 。

未來趨勢＆展望

• DRAM：公司指引營收續創歷史高點，HBM3E 12‑Hi 將在下半年成為主要出貨形態；2025 全年 HBM 產能已售罄，HBM4 量產排程鎖定 2026 年。
• NAND：資料中心旗艦 9550 PCIe Gen5 SSD 已通過 NVIDIA GB200 NVL72 認證並完成多家雲端客戶導入；G8 QLC NAND 元件獲 Pure Storage 150 TB DirectFlash 模組量產資格，美光持續以 QLC 技術推動高密度儲存替代 HDD

憑藉 HBM3E、1‑γ DRAM 與 QLC 大容量 SSD 的技術和成本優勢，美光預期在 AI 伺服器、高效能運算及雲端儲存市場持續擴大市佔。

台灣記憶體產業鏈

南亞科（2408）

南亞科是台灣唯一專注 利基型 DRAM 的 IDM。

• 製程與產品：10 nm 級 1B node 已佔全產能三分之一；公司在第一季開始交貨 16 Gb DDR5‑5600，並於 2025 Q2 送樣 DDR5‑6400，同時持續開發 1C、1D 以及客製化 DRAM 產品 。
• 市場方向：法說會指出，AI 雲端伺服器與邊緣運算持續推高 DDR5 及低功耗 DRAM 需求；公司「伺服器／工控 + PC」客戶比重同步提升
• 資本與供給：2025 年資本支出上限 NT$196 億，以 1B 技術轉換與良率提升為主；全年位元出貨成長指標由 > 20 % 上修至 > 30 %，仍屬溫和擴產。

未來趨勢＆展望

產業趨勢	南亞科現況	評估
DDR4→DDR5 升級	DDR5‑5600 已出貨，DDR5‑6400 送樣	🟢 直接受惠
AI 伺服器／HBM	主攻客製化HBM，預計2026年底推出	🟡 中期佈局

華邦電（2344）

華邦專注 CMS（客製化記憶體）與 NOR Flash，為全球市佔第一的 NOR 供應商。

• 產品線：2025 Q1 營收結構中 Logic / NOR Flash / CMS 占 42% / 32% / 24%，NOR 排名持續領先；CMS 主打 低密度 LPDDR4X / LPDDR3 與 DDR3，供工控、車用與消費電子。
• Edge‑AI 佈局：推出 LPDDR4X 低密度系列 與 CUBE 3D 記憶體架構，鎖定 Edge‑AI SoC（智慧手機、智慧音箱、Kneron AI MCU 等）對高頻寬且低功耗記憶體的需求。

未來趨勢＆展望

產業趨勢	華邦現況	評估
AI 伺服器／HBM	無 HBM，受益有限	⚪ 受益有限
Edge‑AI 終端記憶體	LPDDR4X + CUBE 架構專攻 Edge‑AI SoC	🟢 高契合
DDR4→DDR5 升級	主力仍為 DDR3 / LPDDR4X；未涉 DDR5	⚪ 受益有限
車用／工控長週期	NOR Flash、Secure Flash 持續出貨	🟢 穩定受惠

群聯（8299）

群聯是全球前三大 NAND 控制器與 SSD 解決方案供應商，2025 年第一季來自 非消費型產品（控制器、企業／嵌入式／工業 SSD）營收佔比已超過 70 %，顯示營運重心成功轉向資料中心、車用與工控等高成長市場 。

• 高速控制器 & 企業 SSD：最新 E28 PCIe Gen5 控制器支援 14.5 GB/s 與高達 32 TB 容量；基於該平台的 Pascari X200E 122 TB Gen5 企業 SSD 已在 2024 SC 展示，鎖定 AI 與 HPC 伺服器對極高 I/O 的需求 。
• 車用與高速介面 IC：推出 PCIe Gen4 BGA 車用 SSD（AEC‑Q100）及 PCIe 5.0/6.0 Redriver・Retimer，累計出貨逾 1,000 萬顆，為全球最大 PCIe 5.0 Redriver 供應商 。
• Edge‑AI 平台：自研 aiDAPTIV™ 軟硬體解決方案與 NVIDIA Jetson 搭配，已導入政府、醫療與製造客戶的邊緣生成式 AI 專案 。

未來趨勢＆展望

產業趨勢	群聯現況	評估
AI 伺服器高速、本機儲存	Gen5 控制器＋>100 TB 企業 SSD 直攻 AI/HPC I/O 瓶頸	🟢 高度契合
QLC NAND 大容量化	與 Solidigm、三星等 QLC 廠協作，推動 QLC 企業 SSD	🟢 直接受惠
車用/Edge‑AI 市場	車規 SSD、aiDAPTIV™ 邊緣 AI 平台拓展新動能	🟡 中期增長
先進介面生態	PCIe 5.0/6.0 Redriver・Retimer 市佔領先，布局 CXL 2.0	🟢 技術領先

威剛（3260）

威剛是全球第 2 大記憶體／SSD 模組品牌，根據 2024 Q4 法說會簡報，模組營收結構約 DRAM 52%、SSD 佔 34 %，並持續提高企業級與工業級產品比重。

• 高速消費與電競儲存：2025 年 4 月發表 XPG MARS 980 PCIe Gen5 SSD，讀寫可達 14 GB/s，最高 4 TB，對應 AI PC 與頂級桌機。
• 企業級 AI 儲存：2025 年 5 月成立全新企業級品牌 TRUSTA，首推 T7 (PCIe Gen5 E3.S/E1.S) 與 T5 (Gen4/SATA)，將於 COMPUTEX 2025 展示並送樣 AI 伺服器。
• 工業與嵌入式記憶體：ADATA Industrial 已量產 DDR5-5600 DRAM 模組，並於 2025 年初推出 DDR5-6400 CU-DIMM / CSO-DIMM，面向伺服器、工控與邊緣 AI。
• AI PC 內存升級：在 CES 2025 推出 DDR5 CUDIMM 6400 與 XPG LANCER CUDIMM RGB，瞄準 AI PC 與生成式 AI 軟體對高頻寬 DRAM 的需求。

未來趨勢＆展望

產業趨勢	威剛現況	符合度
AI 伺服器高速、本機儲存	TRUSTA 企業 SSD（E3.S/E1.S）與 Gen5 MARS 980 對接 AI/HPC I/O	🟢 高度契合
AI PC／高頻 DDR5 升級	DDR5-6400 CUDIMM 與 XPG LANCER 系列擴大零售與 OEM 滲透	🟢 直接受惠
工業／嵌入式 Edge-AI	DDR5-5600 量產＋新 DDR5-6400 工規模組，對接工控／邊緣 AI	🟡 利基市場
HBM / NAND 製造	模組／品牌商，無自產晶圓，透過採購高層數 NAND 與 DRAM 整合	🟡 間接受益