記憶體四年漲幅達 700%，Samsung、 SK Hynix 與 Micron 遭反壟斷訴訟指控
近期美國加州北區聯邦法院受理一起反壟斷集體訴訟，控告記憶體產業三巨頭Samsung、 SK Hynix 與 Micron 以 AI 高頻寬記憶體需求快速成長為由，協同縮減 DDR3、DDR4 供給，導致相關 DRAM 價格四年內累計上漲約 700%。 訴狀指出，自 2022 年以來，三家廠商已將約 25% 的 DRAM 晶圓產能轉向 HBM 生產，而 HBM 毛利率為傳統 DRAM 的 3 至 5 倍。儘管 2026 年全球 DRAM 晶圓總產能預計成長 14%，實際產能分配卻僅增加 10%，使供需缺口持續擴大。原告認為，三大廠商本可同步擴產傳統 DRAM 以填補市場缺口，卻選擇將產能集中配置於利潤更高的 HBM，並將此舉定性為「協同減產」的新型態。 訴狀亦援引蘋果近期調漲 iPad 與 Mac 售價一事，主張此為上游記憶體供給收縮傳導至終端市場的結果，並要求三倍損害賠償。
訴訟起因：漲價趨勢下供給保持集中
全球 DRAM 市場供給由三大原廠主導
全球 DRAM 市場供給由 Samsung、 SK Hynix 與 Micron 三大原廠主導，主要原因在於 DRAM 產業具備高度資本密集、技術密集與規模經濟特性。 DRAM 生產需投入龐大的晶圓廠資本支出，並持續推進先進製程、微縮技術、良率控制與製程整合能力，進入門檻極高。同時，DRAM 屬於高度標準化產品，價格容易受到供需循環影響，過去多次景氣下行導致產業獲利大幅波動，使缺乏成本優勢與資金的廠商逐步退出市場或被整併，而隨著製程難度提升與投資規模擴大，產業集中度進一步提高。
儘管近年來中國長鑫存儲積極擴張，已成為三大原廠之外最具規模的 DRAM 供應商，並在部分中低階產品線快速追趕，但三大原廠合計市占率仍超過 80%，整體市場維持高度寡占格局。 台灣方面，南亞科與華邦電亦具備 DRAM 產能，但主要聚焦於特定應用領域，在整體 DRAM 市場中的占比約為個位數。
AI 需求快速成長，推動三大原廠重心轉向 HBM 生產
DRAM 的主要特性在於具備高速讀寫與高頻寬傳輸能力，能夠快速支援 CPU、GPU 等處理器進行即時運算，廣泛應用於手機、電腦、伺服器、車用電子與各類消費性電子產品。 然而，隨著 AI 需求快速成長，HBM 作為 AI 伺服器中不可或缺的高頻寬記憶體，獲利能力明顯高於一般 DRAM，促使 Samsung、 SK Hynix 與 Micron 持續將產能優先配置至 HBM 生產。
此外，每生產 1Gb HBM 所消耗的晶圓產能約為標準型 DDR5 的 2 至 3 倍，進一步排擠傳統 DRAM 供給，使非 AI 終端應用被迫分配有限的剩餘產能，導致市場供需陷入長期結構性失衡。
HBM 產能排擠效應擴散，帶動記憶體非 AI 應用價格同步上漲
由於一般 DRAM 產能縮減，供需失衡情形進一步反映於價格表現。根據 TrendForce 統計，2026 年第二季伺服器 DRAM 合約價格季增率達 50% 至 55%，單季漲幅甚至超過 HBM 的年度價格調整幅度。 若將時間拉長觀察，自 2022 年以來，商用 DRAM 價格累計漲幅已達 700%；消費性市場方面，智慧手機使用的 Mobile DRAM 單季價格上漲 78%，筆記型電腦所使用的 SSD 價格則在一年內翻倍。即便是價格相對穩定、技術門檻較低的車用低容量 DRAM，價格亦上漲超過 50%，顯示記憶體供給已呈現全面吃緊。
供需失衡延續下，過往循環經驗仍使三大原廠維持謹慎擴產策略
儘管面臨市場供需失衡，過往景氣循環經驗仍使三大原廠選擇謹慎擴產。 回顧記憶體市場歷史，2018 至 2021 年間，隨著資料中心與雲端需求快速成長，加上 5G 手機普及帶動換機潮，以及疫情期間居家辦公推升 PC 需求，Samsung、SK Hynix 與 Micron 面對 DRAM 需求急速增加，押注終端需求將持續成長，陸續啟動大規模擴產計畫，下游客戶亦同步積極囤貨。然而，自 2022 年下半年起，疫情期間帶來的消費紅利逐漸消退，PC 與智慧手機出貨動能放緩，各大品牌庫存水位已明顯偏高，買氣迅速降溫。由於一座 DRAM 晶圓廠從動工到量產通常需要 2 至 3 年時間，意味著 2020 年前後啟動的新產能，恰好在需求快速下滑的時間點陸續開出，進一步導致供給過剩與價格下跌。至 2023 年，產業庫存壓力持續累積，產線利用率維持低檔，記憶體價格一度跌至前期高點的約三分之一，整體景氣陷入低谷，Micron 毛利率連續數季轉為負值，SK hynix 全年虧損逼近 7.7 兆韓元，Samsung 半導體業務亦受到明顯拖累，虧損金額高達約 15 兆韓元。因此，歷經 2023 年產業大幅虧損後，記憶體廠商更不願重演產能過剩局面，即使當前市場供給緊俏，對新增產能投資仍維持相對保守態度，優先確保獲利穩定與供需平衡。
事件影響評估：案件成因複雜、訴訟歷時漫長，短期影響有限
事件發生後，市場對此消息反應相對有限，推測主要原因可歸納為以下兩點：
1. DRAM 市場供需失衡成因多元，難以歸因於單一因素
此次案件訴訟成功與否，關鍵在於法院是否認定三家公司存在惡意串謀並哄抬價格的行為。然而，DRAM 市場供需失衡的成因相對多元，較難單純歸因於供給方行為。從需求端來看，AI 仍處於快速發展初期，相關算力與記憶體需求具備較高剛性，使部分客戶願意支付高於市場水準的價格以確保供貨，進而排擠其他終端應用的供給分配。
在此情況下，價高者得較偏向市場供需緊俏下的自然結果，未必能直接指向供應商操縱價格。從供給端來看，記憶體產業過去長期具備景氣循環特性，且曾多次因廠商積極擴產導致供給過剩與價格下跌，因此即使進入上行周期，主要廠商仍傾向維持謹慎擴產策略，以確保獲利與產業供需穩定。至於 DDR3、DDR4 等成熟產品出現供給收斂或價格異常波動，亦可被視為產品世代正常迭代下的產能轉換結果，未必足以直接構成惡意操縱市場的證據。
2. 過往反壟斷訴訟耗時數年，短期內難有結果
觀察過往大型反壟斷案件，由於指控方通常需要投入大量時間蒐集證據並證明壟斷或串謀行為，加上敗訴方往往會透過上訴程序尋求推翻判決，使相關訴訟時程普遍拉長，案件持續時間常超過 5 年。 因此，相較於數年後才可能出現的訴訟結果，市場短期內更關注記憶體供給緊俏與價格上行趨勢對產業基本面的實質影響。
| 案例 | 對象 | 所屬產業 | 起因／主要指控 | 訴訟持續時間 | 結果 |
|---|---|---|---|---|---|
| IBM 反壟斷案 | IBM | 大型電腦、主機系統 | 美國政府指控 IBM 在通用數位電腦市場透過排他與掠奪性行為維持壟斷，包括軟硬體綁售、價格策略等。 | 約 13 年 | DOJ 與 IBM 以撤案結束，未拆分。 |
| Microsoft 瀏覽器案 | Microsoft | 作業系統、瀏覽器、軟體 | DOJ 指控 Microsoft 利用 Windows 作業系統優勢，限制競爭。 | 約 3–4 年和解 | 2001 年達成和解未拆分；最終判決要求 Microsoft 改變部分授權與排他行為。 |
| DRAM 價格操縱案 | Samsung、Hynix、Micron 配合調查 | 記憶體 DRAM | DRAM 廠商被指控在 1998–2002 年間協調報價、交換價格資訊，對客戶造成價格扭曲。 | 約 4 年 | Hynix 2005 年同意認罪並支付 1.85 億美元罰金；Samsung 同年因 DRAM 價格操縱支付 3 億美元罰金。 |
| LCD 面板價格操縱案 | AU Optronics 等 LCD 面板廠 | 面板、顯示器 | 多家 LCD 廠被指控透過長期會議協調 TFT-LCD 面板價格，影響終端產品成本。 | 約 5–6 年以上 | 友達光電 2012 年被判支付 5 億美元刑事罰金，前高層也遭判刑。 |
| 美國 Google Search 案 | 搜尋、搜尋廣告、瀏覽器入口 | DOJ 指控 Google 透過預設搜尋引擎、排他性合約與收入分潤安排，維持搜尋壟斷。 | 約 5 年 | 美國地方法院 2025 年 remedies 包括禁止部分排他性搜尋合約、要求提供部分搜尋資料與廣告服務給競爭者。 |
小結
整體而言，此次記憶體反壟斷訴訟雖反映市場對 DRAM 價格快速上漲與三大原廠產能配置策略的高度關注，但案件成因並非單純來自供給方行為，而是 AI 需求快速成長、HBM 產能排擠、傳統 DRAM 供給收斂、產業過往循環經驗與廠商謹慎擴產策略等多重因素共同作用的結果。
法院後續能否認定 Samsung、SK hynix 與 Micron 存在惡意串謀，仍需經過長時間證據蒐集、產業資料比對與法律攻防，且參考過往大型反壟斷案件經驗，相關訴訟往往歷時數年甚至更久，短期內難以對產業供需或公司營運造成實質影響。 因此，相較於訴訟結果本身，市場短期更可能聚焦於記憶體供給緊俏是否延續、HBM 產能排擠效應是否進一步擴散，以及 DRAM 價格上行對三大原廠獲利能力與產業景氣循環的實際影響。
