重點摘要
- Micron (MU) FY 4Q25 營收 113.15 億美元，毛利率 45.7%，EPS 3.05 美元，大幅優於市場共識和已上修的公司展望。
- Compute and Networking 部門本季營收達 45 億美元，占公司總營收 40%，季增 34%，主要受惠於位元出貨大幅增加；毛利率提升至 59%，較上季增加 120 個基點，主要因成本下降所帶動。
- FY 1Q26 財測展望：營收 122-128 億美元，毛利率中位數 51.5%，EPS 3.6-3.9 美元，亦優於市場預期。
- Micron 成為首家成功量產並出貨 1γ DRAM 的公司。
- 愛達荷州的 ID1 晶圓廠已獲得美國 CHIPS 補助金撥款，預計於 2H27 投產並生產首批晶圓。同時，公司也已啟動位於愛達荷州的第二座晶圓廠 ID2 規劃，預期自 2028 年起提供額外產能。
- HBM 業務已連續多季維持強勁成長，於 FY 4Q25 營收提升至近 20 億美元，主要受惠於 HBM3E 產品加速放量。HBM 市佔率持續攀升，並有望在 FY 1Q26 與整體 DRAM 市佔率達成一致。
- 近期已開始出貨 HBM4 客戶樣品，12 層堆疊技術進度如期推進，並與台積電合作生產 HBM4E 基底邏輯晶片，產品涵蓋標準版與客製化版本。
- HBM 客戶群已擴大至六家，公司已與幾乎所有客戶達成定價協議，涵蓋 2026 年全年大部分的 HBM3E 供應量。目前亦正與客戶積極協商 HBM4 的規格與出貨量，預期將於未來數月內完成協議，並售罄 2026 年全年 HBM 的總供應量。
- 各終端市場的客戶庫存水準維持健康，特別是資料中心需求持續強勁。中期來看，DRAM 與 NAND 的產業位元需求 CAGR 預期將維持在中十位數百分比水準；供給面則預期至 2026 年 DRAM 產業將進一步收緊，而 NAND 市場環境亦將持續改善。
FY 4Q25 財務概況
簡明損益表
| 單位：百萬美元 | FY 4Q25 | 公司預期 | 市場共識 | QoQ | YoY |
|---|---|---|---|---|---|
| 營業收入 | 11,315 | 11,200 | 11,154 | 21.7% | 46.0% |
| 營業毛利 | 5,169 | - | 4,940 | 42.7% | 82.9% |
| 營業利益 | 3,955 | - | 3,678 | 58.8% | 126.6% |
| 稅後淨利 | 3,469 | - | 3,184 | 59.1% | 158.5% |
| EPS(元) | 3.03 | 2.85 | 2.84 | 58.6% | 156.8% |
重要財務比率
| FY 4Q25 | 公司預期 | 市場共識 | QoQ | YoY | |
|---|---|---|---|---|---|
| 毛利率 | 45.7% | 44.5% | 44.3% | 6.7 ppts | 9.2 ppts |
| 營利率 | 35.0% | - | 33.0% | 8.2 ppts | 12.4 ppts |
| 淨利率 | 30.7% | - | 28.5% | 7.2 ppts | 13.3 ppts |
產品營收佔比
| 單位：百萬美元 | FY 4Q25 | QoQ | YoY |
|---|---|---|---|
| DRAM | 8,984 (79%) | 27% | 69% |
| NAND | 2,252 (20%) | 5% | (5%) |
| Other (primarily NOR) | 79 (1%) | 5% | 34% |
應用營收佔比
| 單位：百萬美元 | FY 4Q25 | QoQ | YoY |
|---|---|---|---|
| Compute and Networking | 4,543 (40%) | 34% | 214% |
| Core Data | 1,577 (14%) | 3% | (23%) |
| Mobile | 3,760 (33%) | 16% | 25% |
| Embedded | 1,434 (13%) | 27% | 17% |
- 雲端記憶體事業群（CMBU）營收達 45 億美元，占公司總營收的 40%，季度營收成長 34%，主要受惠於位元出貨大幅增加；毛利率提升至 59%，較前季改善 120 個基點，主要來自成本下降。
- 核心資料中心事業群（CDBU）營收達 16 億美元，占公司總營收的 14%，季度營收成長 3%；毛利率提升至 41%，較前季增加 400 個基點，主要受惠於售價上揚與產品組合優化。
- 行動用戶事業群（MCBU）本季營收達 38 億美元，占公司總營收 33%，季增 16%，主要受惠於 DRAM 出貨量成長及價格改善。MCBU 毛利率提升至 36%，較上季增加 12 個百分點，反映價格上升與產品組合優化效益。
- 汽車與嵌入式事業群（AEBU）本季營收達 14 億美元，占公司總營收 13%，季增 27%，主要受惠於位元出貨量增加。AEBU 毛利率提升至 31%，較上季增加 540 個基點，受惠於價格上漲。
FY 1Q26 展望
| non-GAAP (百萬美元) | 公司預期 | 市場共識 |
|---|---|---|
| 營業收入 | 12,200 - 12,800 | 11,906 |
| 毛利率 | 51.5% | 45.7 |
| EPS (美元) | 3.6 - 3.9 | 3.05 |
關鍵訊息
技術更新
- 1γ DRAM 節點較前一代製程速度提升 50%，並已成為業界首家成功量產並出貨 1γ DRAM 的公司。
- G9 NAND 量產進展順利，目前在該節點已同步推進 TLC 與 QLC NAND 的量產，其中 G9 QLC NAND 已通過企業級儲存應用認證，並依市場需求穩健擴產。
製造產能更新
- 愛達荷州的 ID1 晶圓廠已獲得美國 CHIPS 補助金撥款，預計於 2H27 投產並生產首批晶圓。同時，公司也已啟動位於愛達荷州的第二座晶圓廠 ID2 規劃，預期自 2028 年起提供額外產能。
- 新加坡的 HBM 組裝與測試廠建設進展順利，預計自 2027 年起將開始 HBM 的供應。
資料中心＆伺服器需求
- 預期 2025 年全球伺服器出貨量將成長約 10%，高於先前預估的中個位數百分比；傳統伺服器的成長展望也由原先的持平顯著上修至中個位數百分比，此調整部分源於 AI agent 的快速發展。
- 企業端傳統伺服器應用的持續擴張進一步推升額外需求。除了傳統伺服器外，AI 伺服器的成長動能仍然強勁，傳統與 AI 伺服器的同步增長正共同推動對公司 DRAM 產品的強勁需求。
- FY 2025 資料中心業務營收占比創新高，達公司總營收的 56%，毛利率亦提升至 52%。
HBM
- HBM 業務已連續多季維持強勁成長。FY 4Q25 營收提升至近 20 億美元，主要受惠於業界領先的 HBM3E 產品加速放量。
- HBM 市佔率正持續提升，並有望在 FY 1Q26 與整體 DRAM 市佔率達到一致。
- HBM4 12 層堆疊進度如期推進，將能支援客戶平台的量產時程。
- 近期已出貨 HBM4 客戶樣品，具備業界領先的超過 2.8 TB/s 頻寬與超過 11 Gbps 的引腳速度。
- 已量產的 1β DRAM、創新且高效能的 HBM4 設計、自製的先進 CMOS 基底晶片，以及先進封裝創新，都是支撐此同級最佳產品的關鍵差異化優勢。
- 與台積電合作，生產 HBM4E 的基底邏輯晶片，涵蓋標準版與客製化產品。預期具備客製化基底邏輯晶片的 HBM4E，將能帶來高於標準版 HBM4E 的毛利率。
- HBM 客戶群已擴大，目前涵蓋六家客戶。
- 已與幾乎所有客戶達成定價協議，涵蓋 2026 年歷年大部分的 HBM3E 供應量。
- 正與客戶積極討論 HBM4 的規格與出貨量，並預期在未來數月內完成協議，售罄 2026 年歷年的 HBM 總供應量。
LPDRAM
- 伺服器用 LPDDR5 本季環比成長超過 50%，並創下歷史新高營收。
- 與 NVIDIA 密切合作，率先推動伺服器採用 LPDRAM，自 NVIDIA 在其 GB 系列產品中導入 LPDRAM 以來，Micron 一直是資料中心唯一的 LPDRAM 供應商。
NAND
- AI 推論應用如 KV 快取分層與向量資料庫搜尋與索引，正在帶動對高效能儲存的需求，而 AI 伺服器的成長則推升對高容量 SSD 的需求。
- 推出業界首款 G9 NAND 資料中心產品，包括全球首發的 PCIe Gen6 SSD。
- 預期資料中心儲存市場將持續成長，HDD 供給短缺有望改善 NAND 需求，並推動供需環境朝更健康方向發展。
個人電腦 PC
- Windows 10 的終止支援以及 AI PC 的更廣泛採用，正推動 PC 需求展望改善。
- 預期 2025 年全球 PC 出貨量將成長中個位數百分比，高於先前預估的低個位數成長。
- 完成了首家 OEM 客戶對 16Gb、1γ 製程的 DDR5 的認證，並已開始量產出貨。
- NAND 方面，成功通過 OEM 客戶對首批 G9 NAND SSD 的認證，涵蓋高效能與主流兩大類別。
- 憑藉強大的 SSD 產品組合，在本季及 2025 會計年度雙雙創下用戶端 SSD 營收新高。
行動裝置 Mobile
- 對 2025 年全球智慧手機出貨量的預期維持不變，仍落在低個位數百分比的成長區間。
- AI 智慧手機占比的持續提升，仍是推動行動裝置 DRAM 容量成長的關鍵因素。
- 2025 年第二季出貨的旗艦智慧手機中，有三分之一配置了 12GB 以上記憶體，隨著 Apple、Samsung 及其他智慧手機 OEM 的新產品發表，預期未來數季此占比將進一步提高。
- Micron 停止行動管理型 NAND 的產品開發，以專注資源與投資於投資報酬率更高的產品機會。
- 完成了首款 10.7 Gbps、1β 第二代 LPDDR5X 產品的 OEM 認證。
汽車工業
- 本季汽車與工業領域需求持續增強，超出最初的預期。
- 受惠於價格改善，以及更高比重的先進製程節點，獲利能力逐漸提升。
- 在 DDR4 與 LPDDR4 方面，供給仍然偏緊。為了支援長生命週期客戶對 DDR4 與 LPDDR4 的需求，於 6 月宣布將投資位於維吉尼亞州的廠房。
市場整體概況
- 各終端市場的客戶庫存水準保持健康。
- 預期 2025 年全球 DRAM 位元需求成長將達到高十位數百分比，較先前預期有所上調；同時，全球 NAND 位元需求成長亦高於原先展望，預估將落在低至中十位數百分比區間。
- Micron 2025 年的位元供給成長，預計將低於產業對非 HBM DRAM 與 NAND 的位元需求成長。
- 資料中心需求強勁，包括伺服器出貨量的增加，已推動 DRAM 市場趨緊並強化 NAND 市場環境。此外，終端市場需求的廣泛擴大，也進一步壓縮了 DRAM 的供給。
- 在供給面，預期由於供應商庫存偏低、節點轉換受限、新晶圓產能建置的交期更長且成本更高，這些因素都將限制 2026 年 DRAM 供給成長的速度。
- 預期至 2026 年，DRAM 產業供給將進一步收緊，NAND 市場環境亦將持續改善。中期而言，DRAM 與 NAND 的產業位元需求 CAGR 預期將維持在中十位數百分比水準。
2026 年展望
- Micron FY 2025 的資本支出達 138 億美元，隨著持續加大在 1γ DRAM 與 HBM 的相關投資，預計 2026 會計年度資本支出將高於 2025 年，其中 DRAM 前段製程設備投入與晶圓廠建設將成為推動支出增加的主要因素。
- 持續進行製程節點轉換至 1γ，成為 2026 年 DRAM 供給成長的主要來源。
Q&A
營運相關
Q1：馬克，我想知道您是否能提供一些關於收入指引的幫助。我知道您不想透露太多細節，但對於今年的連續12億美元收入，您能幫我們區分DRAM和NAND的分配嗎？另外，任何關於毛利率的投入和收益也會有幫助。
第一季度DRAM的產品組合將比NAND更重。我們不會細分位元和ASP，但預計毛利率將連續上漲580個基點，受產品組合、定價和成本削減的強力執行驅動。我們正處於建設性的定價環境，DRAM供應緊張，NAND供應顯著改善，需求和供應因素均強勁。
Q2：關於毛利率，概念上您如何看待今年剩餘時間的毛利率變化？51.5%是基準嗎？只要銷售額增長，能否從這個水平擴大？另外，雲端資料中心業務的營運利潤率為48%，從目前的高水平還有多少擴展空間？
我們不提供季度指引，但預計毛利率將比第二季度有所改善。這得益於DRAM供應緊張及相關定價、NAND業務持續改善，以及我們將產品導向高價值市場的混合效應。我們的成本表現持續良好，供需因素持久，資料中心支出增加，傳統伺服器、邊緣設備和汽車的內容需求也在增長。供應方面，客戶庫存健康，我們的DRAM庫存低於目標，NAND持續改善。我們預計2026年HBM和非HBM的利潤率都將保持健康。
Q3：淨資本支出似乎為180億美元，去年為138億美元。您提到前端設備、無塵室空間和DRAM，能否區分設備和無塵室的比例？2026財年的隱含總資本支出是多少？
2026年的支出主要用於DRAM，包括建設、設施和節點轉換的工具，以及新綠地項目的初步安裝。我們預計淨資本支出約180億美元，通常以淨額討論，即總資本支出減去政府激勵措施的收益。2025年的總支出為158億美元，政府激勵措施為20億美元，來自美國、新加坡和日本，未來可進一步討論。
Q4：庫存天數已達目標水平，DRAM甚至低於目標。考慮到3E 12-high RAM和非AI DRAM的強勁需求，本季度總庫存和DRAM庫存如何？庫存天數會繼續下降嗎？供應緊張下，交貨時間是否延長，客戶是否提前下訂單，這是否提高了2026年的可見度？
我們預計庫存天數將保持或優於第四季度水平。DRAM供應將持續緊張，預計低於目標。NAND市場持續改善，庫存天數也將下降。我們在NAND方面保持嚴謹管理。我們與客戶密切合作，客戶了解需求強勁且DRAM供應緊張。我們正透過1 gamma支持非HBM和HBM產品需求，使用1-beta晶圓，並專注於最大化生產效率和技術轉型。
市場需求
Q5：您之前提到2028年HBM TAM為1億美元，但考慮到NVIDIA的TM數字和投資，計算TAM似乎更大。您是否有更新的數字？是否比原先預期更大？對明年有何展望？
我們之前提到，到2030年HBM TAM預計達1000億美元，HBM位元CAGR將比DRAM CAGR更快，2026年HBM位元增長將超過整體DRAM。HBM4的價值主張持續增加，美光以超過11 Gbps的最高性能產品定位良好。市場需求更高性能，我們對HBM的長期機會和2026年的表現感到樂觀，記憶體是AI革命核心，HBM有巨大機會。
Q6：最近一兩個月，推理超大規模器引領的DRAM需求似乎出現拐點。您能談談需求的廣度和可持續性嗎？2026財年預計緊張，對於通常季節性較慢的二月季度，是否會看到正常季節性，還是供應趨勢使情況更好？
我們不提供第二季度指引，但AI趨勢強勁，不僅在訓練，也在推理。AI應用擴展、架構多樣化，推高資料中心和邊緣設備（如智慧手機）的需求。AI伺服器推動HBM、LPDRAM和高密度DRAM模組需求，傳統伺服器需求也在增加。智慧手機和AI PC（受Windows 10終止推動）也增加DRAM含量。2026年供需環境將健康，供應緊張，客戶和供應商庫存健康，美光DRAM供應尤為緊張。
技術與產品
Q7：您如何看待從HBM3E到HBM4的轉換？預計明年何時交叉？您提到2026年HBM3E定價已確定，與現在相比是高還是低？您預計明年HBM3E份額會保持不變還是改變？
HBM4將處於生產爬坡前沿，與客戶時間表一致，產品性能領先業界，速度超過11 Gbps，已完成採樣。首批產品將於2026年第二季度出貨，下半年隨客戶需求增加。我們不評論HBM3E定價，但已與大多數客戶完成2026年HBM3E供應的定價協議，並正在討論HBM4。2026年整體DRAM供需健康，利於HBM和非HBM的盈利能力，預計我們的份額將成長。
Q8：隨著客戶在GPU和XPU平台上差異化，記憶體是關鍵焦點。您提到HBM4客戶要求比標準高25%的頻寬，美光解決方案性能高出40%，超出客戶要求。是否需要重新設計基礎邏輯晶片？更高性能的HBM4 SKU是否推遲客戶時間表？功耗是否仍優於競爭對手？
我們為團隊的執行力和設計感到自豪，DRAM晶片和基礎晶片使用先進CMOS技術，結合創新記憶體架構，實現2.8 TB/s頻寬和11 Gbps以上速度。這使我們在HBM4生產爬坡中保持領先，與客戶需求一致。美光的CMOS基礎晶片提供競爭優勢，功耗也優於競爭解決方案。
Q9：您提到HBM在未來幾個月可能售罄，能否量化2026年的供應機會？如果HBM需求超預期，能否在2026年增加供應？另外，HBM4提供內部基礎晶片和客製化TSM邏輯晶片，預計客戶選擇哪個？在兩者間切換有多容易？
我們不細分供應量，但HBM3E已與大多數客戶完成定價和數量協議，HBM4的協議也將在未來幾個月完成。HBM4使用美光內部基礎晶片，2026年將開始量產；HBM4E（2027年產品）將提供標準和客製化產品，與台積電合作，客製化產品預計有更高毛利率。我們的HBM4規格領先業界，與1-beta晶圓的靈活性讓我們能根據需求管理HBM和非HBM產品組合，同時保持投資紀律和ROI。
評論
Micron FY 4Q25 財報及財測展望均優於市場預期
Micron FY 4Q25 營收數據均優於市場預期，整體受惠於 AI 需求強勁，DRAM 位元出貨量季增低雙位數百分比，平均售價季增 20-low 百分比，價量齊揚帶動 DRAM 營收季增 27%。NAND Flash 部分，雖然位元出貨量季減中個位數百分比，但平均售價上升高個位數百分比。
展望 FY 1Q26，各終端市場客戶庫存水準維持健康，尤其資料中心需求持續強勁，PC 與傳統伺服器展望亦同步上修。中期而言，DRAM 與 NAND 的產業位元需求 CAGR 預期將維持在中十位數百分比水準。供給方面，由於供應商庫存偏低、節點轉換受限，以及新晶圓產能建置交期更長且成本更高，將限制 2026 年 DRAM 供給成長速度。NAND 產業則出現重大轉變，美系 CSP 業者大幅上修 ESSD 訂單，主要因應 AI 推論帶動的大容量存儲需求。整體而言，記憶體市況顯著好轉，上行週期可望延續，將有利於 Micron 營運持續成長。
Micron 2026 年 HBM 產能幾近售罄，HBM4 驗證進展順利
HBM 近年快速成長，Micron HBM 業務已連續多季維持強勁動能，FY 4Q25 營收提升至近 20 億美元，主要受惠於業界領先的 HBM3E 產品加速放量。HBM 客戶群已擴大至六家，市佔率亦持續提升，並有望在 FY 1Q26 與整體 DRAM 市佔率達到一致。
雖然 Samsung 通過 NVIDIA HBM3E 認證後，2026 年 HBM 供給量大幅上升，引發市場對定價的疑慮，但 Micron 在財報會議中表示已與所有客戶達成 HBM3E 定價協議，並正積極協商 HBM4 規格與出貨量，預期將於未來數月內完成協議並售罄 2026 年全年供應量。從毛利率財測指引與管理層展望來看，價格區間應處於良好水準。在 HBM4 方面，12 層堆疊進度如期推進，近期已出貨客戶樣品，並與台積電合作生產 HBM4E 基底邏輯晶片，涵蓋標準版與客製化版本。預期具備客製化基底邏輯晶片的 HBM4E 將帶來高於標準版的毛利率。整體而言，Micron HBM 業務穩健成長，逐步化解市場對供過於求的疑慮，惟市場領導者地位仍由 SK Hynix 保持。
