重點摘要
- ASML FY 1Q26 營收為 88 億歐元，其中系統銷售 63 億歐元、EUV 系統銷售超過 41 億歐元且包含 2 台 High NA，另安裝機台管理業務營收 25 億歐元，表現略優於指引。
- 本季毛利率達 53%，位於公司指引高檔，主因安裝機台管理業務中高毛利升級項目占比較高，淨利為 28 億歐元、EPS 為 7.15 歐元，但自由現金流為負 26 億歐元。
- 公司預估Q2 Q2 營收為 84 億至 90 億歐元、安裝機台管理營收約 25 億歐元、毛利率約 51% 至 52%，FY26 營收指引則上修並收斂至 360 億至 400 億歐元，毛利率維持 51% 至 53%，且營收將偏重下半年。
- 產能規劃方面，ASML FY26 將執行至少 60 台 Low NA EUV 的產出計畫，並在 FY27 將 Low NA EUV 產能提升至至少 80 台，同時使 immersion 系統產出接近 FY25 ，公司正按季提高 move rate，並同步擴充 DUV 與應用產品產能，以避免自身成為客戶擴產瓶頸。
- 本次 FY26 指引上修主要來自非中國市場，中國業務在全年中點占比預估仍約 20%，未較前次改變，顯示本輪 advanced logic、memory 及 immersion 擴產動能主要由非中國客戶推動。
- 在 Low NA EUV 技術路線圖上，短中長期生產力均優於先前規劃，其中 NXE:3800E 可立即透過升級將產能提升至每小時 230 片晶圓，NXE:3800F 的規格則由每小時 250 片上修至 260 片，預計 FY27 開始出貨、FY28 全面放量，管理層並指出近期已完成 1,000 瓦光源示範，支撐下個十年初 Low NA EUV 產能達每小時至少 330 片。
- High NA 方面，平台已累積處理超過 50 萬片晶圓、可用率超過 80%，且客戶在邏輯與 DRAM 上的技術論文顯示，單次 High NA 曝光可取代目前 3 至 4 次 Low NA 多重曝光，部分關鍵層甚至可將製程步驟減少 10 倍，這將支援至少 3 個邏輯與 DRAM 節點的單次曝光，並可望在未來逐步帶動 High NA 進入量產。
- FY25 年 DRAM 對 EUV 的採用已顯著加速，美系 DRAM 客戶也正明確轉向更多 EUV 層數，原因不僅在於效能改善，也因 EUV 可減少 multi-patterning、降低 fab 空間壓力，因此 DRAM 的產能擴張與光刻強度提升正同步推升 EUV 需求，並有利未來 High NA 的進一步滲透。
FY 1Q26 財務概況
簡明損益表
| 單位：百萬歐元 | FY 1Q26 | FY 4Q25 | FY 1Q25 | QoQ | YoY |
|---|---|---|---|---|---|
| 營業收入 | 8767 | 9718.1 | 7742 | -10% | 13% |
| 銷貨成本 | 4121.9 | 4649.5 | 3561.8 | -11% | 16% |
| 毛利 | 4645 | 5068.6 | 4180 | -8% | 11% |
| 研發費用 | 1184.9 | 1262.3 | 1161.1 | -6% | 2% |
| 銷售、一般及行政費用 | 302.3 | 375.2 | 280.7 | -19% | 8% |
| 營業利益 | 3157.8 | 3431.1 | 2737.9 | -8% | 15% |
| 利息及其他費用 | 40.9 | 11.2 | 49.2 | 265% | -17% |
| 稅前利益 | 3198.7 | 3442.3 | 2787.1 | -7% | 15% |
| 所得稅費用 | 546.6 | 618.7 | 465.1 | -12% | 18% |
| 稅後利益 | 2652.1 | 2823.6 | 2322 | -6% | 14% |
| 權益法投資相關利益 | 104.6 | 16 | 33 | 554% | 217% |
| 淨利 | 2756.7 | 2839.6 | 2355 | -3% | 17% |
| EPS（歐元） | 7.15 | 7.35 | 6 | -3% | 19% |
營運部門財務績效
| 單位：百萬歐元 | FY 1Q26 | FY 4Q25 | FY 1Q25 | QoQ | YoY |
|---|---|---|---|---|---|
| 系統銷售額 | 6279.4 | 7584 | 5740.4 | -17% | 9% |
| 淨服務與現場選購銷售額 | 2487.5 | 2134.1 | 2001.1 | 17% | 24% |
| 營業收入總計 | 8766.9 | 9718.1 | 7741.5 | -10% | 13% |
FY 2Q26 財測指引
| 單位：億歐元 | FY 2Q26 (G) | FY 1Q26 (A) | FY 26 (G) | FY 25 (A) |
|---|---|---|---|---|
| 營業收入 | 84–90 | 87.67 | 360–400 | 326.67 |
| 毛利率 | 51%–52% | 53% | 51%–53% | 52.8 |
| 研發費用 | 12 | 12.62 | — | — |
| 銷管費用 | 3 | 3.75 | — | — |
核心觀點
DRAM 與先進邏輯晶片擴產帶動 2026 年展望上修
2026 年半導體市場主要動能來自先進記憶體與先進邏輯製程的擴產需求。其中，記憶體端表現尤其強勁，多家 ASML 客戶已表示今年剩餘時間產能接近售罄，供給吃緊情況將延續至 2026 年之後；邏輯端則同步擴充多個 advanced nodes 產能，並持續推進 2 奈米製程，以支援下一代 HPC 與 mobile 應用。受此帶動，ASML 客戶一方面增加資本支出、加快擴產，另一方面也提升對 EUV 與 immersion DUV 的需求，推升整體光刻強度。公司因此將 2026 年營收指引上修並收斂至 360 億至 400 億歐元，並預期全年營收將偏重下半年，反映目前需求能見度與接單動能皆較先前更為明確。
ASML 本次上修預期主因是建立在客戶中長期擴產規劃逐步落地的基礎上，邏輯與記憶體客戶目前皆積極擴建產能，部分投資甚至已有其下游客戶的長約支持，使設備需求與產能擴張更具持續性。ASML 原先預期 2026 年 non-EUV 營收大致與去年相當，但在客戶持續增加 deep UV 配置後，現已改為預期將出現成長，顯示本輪擴產並非只集中於 EUV，而是整體先進製程設備需求同步增強，ASML 目前對 2026 年成長的看法較上一季更為樂觀，並已開始提前因應 2027 年的後續需求。
Low NA EUV 產能規格上修，High NA 已進入客戶產品晶圓驗證階段
在技術與產品進展方面，ASML 表示 Low NA EUV 的生產力與產能規劃持續上修，顯示 ASML 也正在透過工具性能提升擴大單位生產價值。NXE:3800E 是 ASML 現行 Low NA EUV 平台中的一款先進微影設備，目前 NXE:3800E 已可透過升級將產能提升至每小時 230 片晶圓，且可立即提供給客戶；NXE:3800F 的規格則由原先每小時 250 片提升至 260 片，預計於 2027 年開始出貨、2028 年全面放量。而 ASML 2026 年將執行至少 60 台 Low NA EUV 的產出計畫，並已準備在 2027 年將 Low NA EUV 產能提高至至少 80 台。
此外，High NA 亦即 High Numerical Aperture，是 ASML 新一代高數值孔徑的 EUV 微影設備，相較於目前主流的 Low NA EUV，High NA 具有更高的光學解析能力，因此可支援更細緻的線寬與更先進的製程節點，High NA 的重要性不僅在於可延伸先進邏輯與 DRAM 製程的技術邊界，也在於其有機會以較少的曝光次數取代原本複雜的多重曝光流程，進而降低製程複雜度、提升生產效率，並改善先進節點下的整體成本效益。
ASML 在本次法說會提到 High NA 也逐步走向更貼近量產的階段，平台目前已累計處理超過 50 萬片晶圓，可用率超過 80%，並已看到邏輯與 DRAM 客戶開始在實際產品晶圓上進行測試。從客戶與 ASML 在技術會議上的分享來看，High NA 在部分應用中可用單次曝光取代目前需要 3 至 4 次 Low NA 曝光的多重曝光製程，部分關鍵層甚至可顯著減少製程步驟，這對降低製造複雜度、提升產能效率與支援更先進節點皆具重要意義。
Q&A
Q1: FY26 營收指引 immersion 與 DUV 展望上修有多少來自中國、多少來自非中國地區？EUV 展望是否也同步變動？在 immersion 比重增加的情況下，為何 FY26 全年毛利率指引仍維持不變？
本次指引上修主要來自非中國市場，中國業務占全年營收比重的中點預估仍約為 20%，與先前看法一致。上修的主因是 immersion 供應鏈狀況改善，使公司對 FY26 immersion 出貨接近 FY25 水準的信心提高，而這部分主要供應給非中國客戶。EUV 展望也略有上修，此外 installed base 業務同樣維持強勁。至於毛利率未上修，管理層解釋雖然 immersion 本身毛利較佳，但公司同步提高 move rate、擴編並訓練人力，短期成本先行投入，因此綜合正負因素後，全年 51% 至 53% 的毛利率區間仍屬合理。
Q2: 目前客戶給公司的需求能見度是否已延伸至 FY28 ？公司現在如何看待 FY27 與 FY28 的成長輪廓？若 FY27 Low NA EUV 產能提高到至少 80 台，是否已足以滿足需求，還是仍可能供不應求？
FY28 目前仍言之過早，與客戶的討論重點仍以 FY26 交付需求與 FY27 產能準備為主。公司目前持續按季提高 move rate，並已規劃 FY27 至少生產 80 台 Low NA EUV，這本身就反映客戶對明年產能需求相當強勁。至於 80 台是否足夠，該數字是與客戶密切討論後形成的當前對齊結果，且相關討論仍在持續進行，因此才使用 at least 80 的說法，顯示需求仍有進一步上修空間。
Q3: 為何Q2毛利率較Q1下滑，除了人員擴編外，是否還有其他產品組合因素影響？ASML 內部與供應鏈正在採取哪些措施來提升產能與供給能力？若 FY27 EUV 產能提升到 80 台以上，對 immersion 的需求與產能配置意味著什麼？
Q2毛利率回落的主因，一是Q1 installed base 業務中出現了高毛利的升級項目，這種組合Q2不一定重現，二是公司正在為後續 move rate 提升預先擴編與訓練人力，因此短期成本增加。供給端方面，管理層指出公司已在多條戰線同步推進，包括先前即為 Low NA 90 台與 total DUV 600 台能力所做的供應鏈準備、Zeiss 光學供應改善、自身廠內空間與產能準備，以及 EUV 工具成熟度提升後帶來的 factory cycle time 改善。公司也強調，增加客戶可用產能不只靠新增出貨，還包括工具可用率、每小時產能提升與 installed base 升級，因此若 FY27 EUV 增加到至少 80 台，immersion 需求理論上也會隨之擴大，兩者會同步規劃。
Q4: 進入下一輪擴產週期後，若中國需求維持目前水準，公司是否還需要進一步增加 deep UV 產能？FY27 EUV 機型組合將如何變化？F 機型開始出貨後，是否會推升明年的 EUV ASP？
對 total DUV 而言，目前 600 台的產能能力仍讓管理層感到相對安心，若有需要也仍有其他方式可調整。對非中國客戶來說，immersion 需求與 EUV 擴產高度連動，因此公司對 deep UV 與 immersion 的 ramp 也保持高度關注。機型組合方面，FY26 EUV 出貨仍以 E 機型為主，D 機型約占兩成；到了 FY27 ，D 機型幾乎不再是主力，仍以 E 為主，但會開始導入部分 F 機型。由於 FY27 沒有 D、且新增部分 F，管理層明確表示明年的 ASP 將高於今年。
Q5: 在 advanced logic 與 memory 需求緊俏的背景下，High NA 未來是否可能因能節省 Low NA 曝光次數而加快導入？F 機型每小時產能較 E 機型提升後，ASP 是否也會大致按相近幅度提高？
High NA 是否因市場緊俏而加速導入，目前仍稍早判斷，但已看到多家邏輯與 DRAM 客戶開始以真實產品晶圓測試 High NA，代表其正積極建立未來導入選項。尤其在 DRAM，若工具成熟度持續改善，High NA 在既有產品上導入的門檻其實不高，因此公司不排除未來幾個月隨產能需求持續吃緊、加上 High NA 進展推進，而出現更積極的採用。至於 F 機型 ASP，管理層表示 throughput 與 ASP 歷來相關性很高，雖然定價會與客戶分享部分效益，但分析師以 throughput 增幅作為 ASP 粗估的方向並不離譜。
Q6: 公司在 2024 年資本市場日提出的 DRAM 與 advanced logic 每年新增產能假設，目前是否仍適用？若未來營收高於先前框架中的 600 億歐元，毛利率是否有機會高於原先 56% 至 60% 的區間？
隨著 AI 在過去幾季快速改變市場結構，先前對長期市場的假設很可能需要重新檢視，尤其 DRAM 變化最大，今年新增產能看來可能高於先前討論的水準，但公司希望等進一步消化近幾季的變化後，再於明年的 Capital Markets Day 更新長期觀點。至於更高營收是否意味更高毛利率，管理層指出不能只看單一變數，還需同時考量 Low NA 生產力提升與相應 ASP 上升、High NA 出貨規模能否吸收固定成本、installed base 改善空間，以及 DUV 端優化，因此同樣留待明年再整體更新。
Q7: 若 foundry 市場未來不再只由單一領先者主導，Samsung 與 Intel 的進展是否已開始反映在公司未來出貨規劃中？多家 foundry 競爭者並存對產業創新與 ASML 是否更有利？另外，ASML 如何看待 hybrid bonding 與先進封裝相關機會，公司能提供哪些協助？
foundry 市場目前需求仍遠大於供給，因此除了市場領導者外，其他玩家確實也有切入空間。Samsung 在 Taylor 的規劃屬於真實需求，會帶動公司相應出貨；至於 Intel 方面，公司指出其已具備一定產能，因此今年不預期會出現很大的新增出貨量。長期來看，若市場由三家主要玩家共同推進，理論上將更能確保創新持續。至於 hybrid bonding 與先進封裝，公司重申 3D integration 將成為提升邏輯與 DRAM 密度的重要工具，ASML 已透過 holistic lithography、量測與製程控制能力，以及 XT:260 等先進封裝設備參與其中。現階段 hybrid bonding 尤其在前段製程的實際用量仍有限，但公司持續與客戶討論未來可支援的方向。
Q8: 除了 ASML 自身產能外，客戶的 clean room 與建廠進度是否仍是 FY26 與 FY27 出貨的重要限制因子？目前整體環境究竟是需求受限還是供給受限？DRAM 擴產與製程遷移又將如何改變 litho intensity，並對 High NA 導入帶來什麼影響？
clean room 與 pedestal 準備確實曾是 FY26 的重要限制因素，但近期已有明顯進展，這也是公司能同步上調 FY26 營收區間下限與上限的原因之一，代表客戶建廠與空間準備正逐步明朗。管理層強調，無論記憶體或邏輯客戶，目前都沒有猶豫擴大 CapEx，甚至部分投資已獲其下游客戶承諾支持，因此當前仍是供給受限的環境。就 DRAM 而言，FY25 EUV 採用大幅加速，美系 DRAM 客戶也加速轉向更多 EUV 層數，這不僅改善效能，也因能減少 multi-patterning 與 fab 空間占用而提高 litho intensity。公司認為，Low NA EUV 在 DRAM 的加速滲透，長期也將為 High NA 進一步導入鋪路。
Q9: 記憶體客戶近期簽訂 3 到 5 年長約後，是否讓 ASML 獲得更高的需求能見度？在客戶對產能高度渴求的情況下，公司是否有機會提高記憶體業務的定價或獲利能力？FY27 at least 80 台的 Low NA EUV 產能目標，究竟是受客戶需求、clean room 限制，還是其他因素所決定？
無論在記憶體或邏輯端，客戶目前都非常公開地與 ASML 討論市場、擴產與未來 fab 規劃，因此公司對需求能見度其實相當高，而近期新建 fab 的規模也顯示客戶正為後續擴張預留空間。不過，管理層強調公司的定價模式並非基於客戶當前供需壓力，而是根據每一代工具能為客戶創造的價值來取得合理分潤，因此不會因記憶體市場特別緊缺而採取額外加價策略。至於 FY27 至少 80 台的規劃，這是根據客戶對市場的判斷、fab 建設進度，以及公司認為最適合提供產能的方式所共同形成的當前對齊結果，而不只是單一限制因素決定。
Q10: Q1 installed base management 業務優於預期且帶動毛利率上行，是否主要來自高毛利 upgrade 業務，而接下來全年會轉回較偏 maintenance 的結構？隨著 EUV installed base 擴大，maintenance 與 upgrade 兩者的毛利差距是否正在縮小？若 AI 帶動多年的大擴產週期，公司未來是否還能加快自身 clean room 與土地配置，以避免 EUV 成為產業瓶頸？
Q1 installed base 業務確實包含較多高毛利 upgrade 項目，但這不代表全年其餘時間將只剩 maintenance，因為客戶在目前產能緊張環境下仍會持續要求各類升級，只是不同升級方案的毛利結構差異很大，其中純軟體型升級毛利特別高。EUV service 業務的毛利已較四、五年前大幅改善，從當時甚至為負的水準逐步提升到接近公司整體毛利率，因此維護與升級的整體獲利輪廓已改善，但 upgrade 業務內部差異仍大，無法用單一數字概括。至於未來是否加速 clean room 擴建與土地配置，公司強調不希望 EUV 成為客戶瓶頸，且已事先處理好長交期項目與周邊土地資源，因此未來具備相當大的彈性，可透過增加工具數量、縮短 cycle time、提高 productivity 與擴充實體空間等多種方式持續提升供給。
