重點摘要
- 本季營收 239 億、季增 75%、年增 196%，非 GAAP EPS 為 12.20 元、毛利率 75%，自由現金流69 億。第三季指引預估營收 335 億 ± 7.5 億、毛利率約 81%、EPS 約 19.15 ± 0.40。
- 2026 年資料中心 DRAM 與 NAND bit TAM 將首度占整體產業 TAM 超過 50%，且先進 AI 加速器的 DRAM 搭載量較去年已翻倍。
- 已開始量產出貨用於 NVIDIA Vera Rubin 的 HBM4 36GB 12-high，並已送樣 48GB 的 HBM4 16-high 產品，同時推進 1-gamma DRAM 與 G9 NAND 量產，預期 1-gamma 與 G9 將在 2026 年中成為各自產品線的主力節點，2027 年將提升研發投入，以支撐 HBM4E、LP 記憶體、資料中心 SSD 與客製化產品的長期機會。
- DRAM 與 NAND 目前都受到無塵室、建廠週期、HBM 較高 trade ratio 與製程微縮下每片晶圓 bit 成長放緩等因素限制，部分核心客戶在中期內仍只能滿足約 50% 至三分之二的需求，預估 2026 年 DRAM bit 出貨成長為低 20% 區間、NAND 約成長 20%，另一方面也透過五年期 SCA 戰略客戶協議提升多年度供需能見度與商業模式穩定性。
- FY26 CapEx 將高於 250 億，第三季 CapEx 約 70 億，而 FY27 年 CapEx 將顯著上升，其中建廠相關支出年增將超過 100 億，主要用於 HBM、DRAM 與全球製造據點擴建，包括台灣 Tongluo 廠區、美國 Idaho 與 New York、新加坡 NAND 廠與 HBM advanced packaging 設施。
- 邊緣 AI 將持續推升 PC、智慧型手機、汽車與機器人對記憶體容量的需求，例如具 on-device agentic AI 能力的 PC 建議至少配置 32GB 記憶體、旗艦手機搭載 12GB 以上 DRAM 的出貨占比在 2025 年第四季已接近 80%，而 L4 自動駕駛車所需 DRAM 容量更超過 300GB。
- 第二季期末現金與投資達 167 億，淨現金部位達 65 億，並在單季償還 16 億債務後仍宣布將季股息提高 30% 至每股 0.15 ，現階段仍將優先投入研發、CapEx 與資產負債表強化。
FY 2Q26 財務概況
簡明損益表
| 單位：百萬美元 | FY 2Q26 | FY 1Q26 | FY 2Q25 | QoQ | YoY |
|---|---|---|---|---|---|
| 營業收入 | 23,860 | 13,643 | 8,053 | 75% | 196% |
| 營業毛利 | 17,876 | 7,753 | 3,053 | 131% | 486% |
| 營業利益 | 16,455 | 6,419 | 2,007 | 156% | 720% |
| 所得稅費用 | -2,504 | -977 | -214 | 156% | 1070% |
| 稅後淨利 | 14,021 | 5,482 | 1,783 | 156% | 686% |
| EPS(元) | 12.2 | 4.78 | 1.56 | 155% | 682% |
| 營運現金流 | 11,903 | 8,411 | 3,942 | 42% | 202% |
營運部門財務績效
| 單位：百萬美元 | FY 2Q26 | FY 1Q26 | FY 2Q25 | QoQ | YoY |
|---|---|---|---|---|---|
| DRAM | 18,768 | 10,812 | 6,123 | 74% | 207% |
| NAND | 4,997 | 2,743 | 1,855 | 82% | 169% |
| Other (primarily NOR) | 95 | 88 | 75 | 8% | 27% |
| 總計 | 23,860 | 13,643 | 8,053 | 75% | 196% |
| 單位：百萬美元 | FY 2Q26 | FY 1Q26 | FY 2Q25 | QoQ | YoY |
|---|---|---|---|---|---|
| Cloud Memory (CMBU) | 7,749 | 5,284 | 2,947 | 47% | 163% |
| Core Data Center (CDBU) | 5,687 | 2,379 | 1,830 | 139% | 211% |
| Mobile and Client (MCBU) | 7,711 | 4,255 | 2,236 | 81% | 245% |
| Automotive and Embedded (AEBU) | 2,708 | 1,720 | 1,034 | 57% | 162% |
FY 3Q26 財測指引
| 單位：百萬美元 | FY 3Q26 (G) | FY 2Q26 (A) |
|---|---|---|
| 營業收入 | 33,500 ± 750 | 23,860 |
| 毛利率 | 81% | 74.90% |
| 營業費用 | 1,400 | 1,421 |
| EPS(元) | 19.15 ± 0.40 | 12.2 |
| CapEx | 7,000 | 5,004 |
核心觀點
高毛利率預期已提前反映於股價
Micron 本季財報整體表現仍屬強勁。雖然營收與毛利率皆創下歷史新高，但股價在盤後下跌約 5%，主因並非基本面轉弱，而是市場在財報公布前已對 AI 帶動下的獲利能力給予高度期待，甚至一度出現毛利率上看 80% 的傳聞。由於 MU 股價在財報前已累積一段明顯漲幅，本次結果雖佳，卻未能進一步顯著超越市場偏高預期。
若回到基本面來看，公司 Q2 毛利率達 75.1%，Q3 指引約 81%，營收年增接近三位數，且管理層同步上調股息，反映其對後續獲利與現金流仍具信心。近期毛利率快速提升，主要受惠於 DRAM 與 NAND 價格走強、產品組合改善，以及成本表現優於預期，另一方面，AI 伺服器對 HBM3E 的強勁需求，使記憶體大廠將更多產能配置至 HBM，進一步壓縮傳統 DRAM 供給，推升整體記憶體價格與毛利率表現。
至於本季毛利率未達部分市場期待的 80%，可能有幾項原因。首先，HBM4 仍處於認列初期，Gamma 製程也在導入階段，短期內可能對成本造成壓力；其次，公司過去簽訂的長期供貨協議雖有助於提升營收能見度，但在價格談判上也可能使部分產能尚未完全反映現貨市場的上行空間。此外目前 HBM 的整體利潤率未必全面高於非 HBM 產品，公司亦需兼顧多元終端市場與長期客戶配置，因此整體毛利率未必會在單一季度快速推升至市場最樂觀預期。整體而言，本次財報更像是高預期下的正常獲利了結，而非基本面出現轉弱訊號。
未來運算晶片架構變化是否影響 MU 產品需求
近兩年市場對新型 AI 運算晶片的討論明顯升溫，從 Google 的 TPU，到 NVIDIA 與 Groq 合作的 LPU，其背後反映的都是 disaggregated inference 等新型架構趨勢。由於這類晶片通常搭配大量 SRAM，市場因此擔心，若未來更多推理運算平台轉向以 SRAM 為核心，是否可能擠壓 Micron 產品的需求空間。
不過，管理層對此給出相對明確的回應，公司認為這類新架構的核心並非取代 HBM 或 DRAM，而是提升整體 AI 基礎設施的效率與擴展能力，SRAM 的增加不代表其他記憶體的重要性下降，反而更像是不同記憶體類型在系統中分工更細、彼此協作更強。例如，LPU 架構雖可能使用更多 SRAM，但整體伺服器與相關機櫃配置仍需大量 DRAM 與 HBM 支援，尤其在資料搬移、模型載入與高頻寬運算場景中，高容量與高頻寬記憶體仍不可或缺。
進一步而言，實際上企業 AI 滲透率仍低，未來不論是 HBM、DRAM、SOCAMM 還是 SSD，整體記憶體需求仍有擴張空間。因此，運算架構的演進確實可能改變記憶體配置方式，但不必然削弱 MU 的受惠程度；相反地，在系統日益複雜、資料吞吐需求持續提高的情況下，Micron 反而有望在高頻寬與大容量記憶體領域持續扮演關鍵角色。
Q&A
Q1: 81% 的毛利率指引要如何看待其延續性？隨著 HBM4 比重提高，未來幾季的毛利率應該怎麼理解？五年期 SCA 和過去的 LTA 有何不同？它是否包含多年期的量價承諾與取消條款安排？
第三季毛利率指引較前季再提升 600 個基點，81% 的水準已納入 HBM4 成長，但不提供第四季毛利率指引。AI 正帶動多年期投資循環，記憶體需求不只增加，還轉向更高效能產品，加上供給面限制預計延續到 2026 年之後，因此整體市場條件仍然偏強。至於 SCA，其本質上是多年期協議，與過去通常為一年期的 LTA 不同，目的是讓客戶取得更高的供應可預見性，也讓 Micron 取得更穩定的需求承諾與商業模式能見度，但不透露具體定價、承諾細節或取消條款。
Q2: 在供給極度緊張下，公司如何在資料中心、PC、智慧手機、汽車與工業等終端市場之間分配產能？高價格是否會對 PC 與智慧手機造成需求破壞？目前關鍵客戶大約能拿到多少比例的需求量？
目前供給在所有終端市場都相當緊張，資料中心因為產業 TAM 持續擴大而獲得較多資源，但 Micron 仍希望維持多元終端市場布局，不會完全偏向單一市場。PC 與智慧手機等價格敏感型市場可能受到漲價影響而出現部分需求壓抑，但整體需求仍然穩健，而且 AI 趨勢也持續推升各類裝置的記憶體含量。至於供需缺口，部分關鍵客戶在中期內仍只能滿足約 50% 到三分之二的需求，顯示供給吃緊狀況並未明顯緩解。
Q3: SCA 是否設有某種機制，可以在景氣下行時限制毛利率下滑幅度？如果今年自由現金流大幅增加，公司將如何運用現金？未來會優先加碼回購，還是先強化資產負債表與投資？
對 SCA 的下檔保護機制不提供細節，這類協議是多年期且具備具體承諾，核心目的在於提高商業模式的穩定性與能見度，目前除已簽署的一份之外，也正與多家客戶洽談。至於現金配置，優先順序仍是強化資產負債表、持續償債、投入先進技術與高附加價值產能，同時維持資本支出與研發投資紀律。本季已獲兩次信用評等上調、宣布股利提高 30%，未來仍保留透過回購方式回饋股東的空間，但會先以財務穩健與有機投資為主。
Q4: 公司目前洽談 SCA 的客戶範圍有多廣？是否不只限於 hyperscale 客戶？這類協議是否會和 CapEx 承諾或投資報酬率定價機制連動？HBM 市場規模展望是否有改變？在非 HBM 毛利率較高的情況下，產業是否會傾向把位元供給轉向 DDR5 或其他產品？
已簽署的第一份 SCA 來自一位大型客戶，這類協議可讓公司更有信心規劃未來供給，也能提升需求可視度與商業模式穩定性；此外，SCA 的討論正與多位客戶進行，而且橫跨多個終端市場，但不評論是否與特定 CapEx 或 ROIC 機制直接綁定。至於 HBM，目前沒有更新先前給出的 HBM TAM 展望，且雖然當前非 HBM 毛利率高於 HBM，但資料中心對 HBM、DDR5、LP 與 SSD 的需求都很強，將持續動態管理產品組合，同時維持其他終端市場的合理市占。
Q5: 企業級 SSD 業務在未來幾季是否仍有持續成長空間？隨著 G9 節點與新一代產品推進，資料中心 SSD 是否仍是公司重要成長動能？高頻寬快閃記憶體是否會成為公司投入研發的新方向？多年的 SCA 是否也反映 GPU、CPU 與 HBM 客製化設計週期拉長，進而需要更早且更深的合作？
資料中心 SSD 仍是未來的重要成長領域，因為 NAND 供給仍偏緊，而資料中心 SSD 又是推動 NAND 成長的重要驅動力。Micron 在容量與效能產品線上布局完整，且將持續把營收組合轉向更高獲利與更高附加價值市場，因此看好 SSD 業務延續良好軌跡。至於高頻寬快閃記憶體，其具備容量等優勢，但在寫入速度、功耗與保存性方面仍有限制，因此短期仍處於相當早期階段，還需與客戶共同驗證商業價值。對於 SCA 是否受 HBM 客製化週期驅動，管理層雖未提供細節，但明確表示這類協議確實能讓公司與客戶在研發協作與產品路線圖規劃上更緊密。
Q6: 隨著更多 AI 工作負載採用 SRAM 或 LPU 等不同架構，長期記憶體市場會如何演變？這些新架構是否可能削弱 HBM 與 DRAM 的地位？公司在擴產時如何評估未來數年資料中心需求，以避免之後出現供給過剩？
任何能提高 AI 基礎設施效率的架構，整體上都會讓 AI 市場成長得更快，而不是排擠既有記憶體需求。LPU 架構仍與大量 HBM 與 DRAM 搭配使用，例如相關機櫃架構本身就會使用大量 DRAM，因此這些新型架構更像是補充而非取代。AI 在企業端的滲透率仍然非常低，未來 across verticals 仍有龐大成長空間，而先進 AI 加速器所需的 DRAM 容量從去年到今年已經翻倍，這正是供給緊張的重要原因之一。整體而言，公司看好 HBM、LP、DRAM、SOCAMM 與 SSD 的完整產品組合都將受惠。
Q7: HBM4 導入後，公司市占是否會立即落在目標區間，還是需要時間逐步提升？當前 81% 的毛利率是否只是週期高點，還是與過去低 60% 的歷史高點相比已出現結構性改變？客戶對這麼高的毛利率是否會有不同反應？
先前已在 2025 年第三季達成 HBM 市占與 DRAM 市占對齊的目標，之後不會再逐季揭露 HBM 市占，但管理層對 HBM4 與 HBM3E 的產品定位都相當有信心，並認為 2026 年兩者都將有市場機會。至於毛利率，不應再以過去循環的歷史平均來簡單類比，因為這一輪與過往最大差異在於 AI 已成為結構性、長週期的驅動力，記憶體不再只是傳統零組件，而是降低 token 成本、降低單位能耗、提升模型能力與擴大 AI 應用的關鍵資產。同時，產業還面臨庫存偏低、每片晶圓 bit 成長下降、HBM trade ratio 上升，以及新增產能必須依賴綠地建廠等結構性限制，因此毛利率的支撐因子比過去更耐久，客戶也正透過長期協議來反映這種新現實。
