重點摘要
- 力積電 4Q25 營收 125 億元，季增 5.5%、年增 12.2%，優於市場預期，主要受惠於記憶體價格顯著上漲，帶動獲利結構改善，毛利率由負轉正提升至 6.6%。
- 已與 Micron 簽署意向書，將以分階段方式轉讓銅鑼廠，預計取得 18 億美元現金；同時，Micron 將預付 HBM 後段產能費用，並協助精進先進節點 DRAM 製程技術。
- 與塔塔電子合作順利，技術服務費已累計 1.43 億美元入帳。
- 預估 2026 年資本支出為 3 億美元，高於 2025 年的 2.86 億美元，主要用於 DRAM 精進以及技術需求設備，但最終會依 Micron 合作案調整。
- 目標於三年內將 3D AI Foundry 營收占比提升至 20%，目前矽中介層需求持續增溫且良率表現穩定；WoW 已開始少量出貨，4 層堆疊認證進展順利，預計於 2027 年轉入量產階段。
- 管理層預期記憶體供給缺口預期持續至 2026 下半年。
4Q25 財務概況
簡明損益表
| 單位：百萬元 | 4Q25 | 市場共識 | QoQ | YoY |
|---|---|---|---|---|
| 營業收入 | 12,495 | 12,071 | 5.5% | 12.2% |
| 營業毛利 | 794 | (158) | - | - |
| 營業利益 | (719) | (873) | - | - |
| 稅後淨利 | (654) | (1,488) | - | - |
| EPS(元) | (0.16) | (0.18) | - | - |
重要財務比率
| 4Q25 | 市場共識 | QoQ | YoY | |
|---|---|---|---|---|
| 毛利率 | 6.4% | (1.3%) | 12.9 ppts | 17.5 ppts |
| 營利率 | (5.8%) | (7.2%) | 16.9 ppts | 11.9 ppts |
| 淨利率 | (5.2%) | (12.0%) | 17.8 ppts | 8.3 ppts |
營收佔比（依地區）
| 4Q25 | 3Q25 | |
|---|---|---|
| 台灣 | 49% | 47% |
| 亞洲（不含台灣） | 23% | 27% |
| 歐美 | 28% | 26% |
營收佔比（依應用）
| 4Q25 | 3Q25 | |
|---|---|---|
| PMIC | 21% | 19% |
| DDIC | 9% | 12% |
| IMC | 8% | 8% |
| CIS | 4% | 3% |
| DRAM | 34% | 33% |
| Flash | 6% | 7% |
| 其他 | 18% | 18% |
2025 財務概況
簡明損益表
| 單位：百萬元 | 2025 | 2024 | YoY |
|---|---|---|---|
| 營業收入 | 46,730 | 44,726 | 4% |
| 營業毛利 | (1,537) | 525 | - |
| 營業利益 | (5,960) | (7,965) | - |
| 稅後淨利 | (7,813) | (6,777) | - |
| EPS(元) | (1.86) | (1.64) | - |
重要財務比率
| 2025 | 2024 | YoY | |
|---|---|---|---|
| 毛利率 | (3.3%) | 1.2% | (4.5 ppts) |
| 營利率 | (12.8%) | (17.8%) | 5.0 ppts |
| 淨利率 | (16.5%) | (15.2%) | 0.7 ppts |
關鍵訊息
記憶體代工產品線
- 市場供需結構性失衡，供給缺口預期持續至2026年下半年。
- DRAM：高端AI伺服器排擠中低端產能，推升DDR3/DDR4等利基型產品價格；ASP急速上升。
- Flash：SLC NAND因韓廠退出而供給減少，合約價/現貨價明顯上漲；NOR Flash客戶驗證完成，去年底開始放量，今年持續提升，車規產品驗證正向。
邏輯代工產品線
- Q4出貨持平，但2026年1月起需求強勁回升（AI記憶體排擠 + 去中化布局 + P5轉讓影響）。
- 12吋：驅動IC（DDIC）、感測器、PMIC價格自1月起調升；AI伺服器PMIC主力客戶Q4完成驗證並放量；手機PMIC中長期需求成長（5G用量為4G的2.5倍）。
- 8吋：IT需求下修，但AI伺服器/邊緣運算帶動功率元件（MOSFET等）需求不減反增；2月起產能吃緊，3月起價格調升；考慮將部分竹南8吋無塵室改裝為12吋先進封裝；未來新增矽電容等產品線。
- 整體：邏輯代工已從谷底回升，未來數季需求大於供給。
3D AI Foundry 產品線
- 目前營收佔比約3%，目標三年內達20%。
- 矽中介層（Interposer）：需求增溫，良率穩定；P5廠原計劃擴至4,000-5,000片/月，因出售將移回新竹，維持此規模；2027 Q1可恢復。
- WoW（Wafer on Wafer）：已少量出貨，4層堆疊認證順利，預計2027年轉量產；8層堆疊開發中。
- 將支援美光HBM後段晶圓代工（PWF）；積極移轉產品線回新竹，預投片降低客戶衝擊。
未來佈局與轉型
- 與美光簽署意向書（LOI），分階段轉讓銅鑼廠（P5為主），獲18億美元現金；美光預付HBM後段產能，建立長期代工夥伴；美光協助精進低節點DRAM技術。
- 轉型目標：以AI應用為核心的專業晶圓代工廠，聚焦高附加價值產品（3D AI DRAM、矽中介層、矽電容/IPD、PMIC、MOSFET/GaN/IGZO等）。
- 與塔塔電子（Tata）合作順利，技術服務費累計1.43億美元入帳；共同開發印度邏輯代工市場。
- 產能調整：銅鑼廠機台/產線移回新竹；汰換舊設備、低毛利產品；強化高毛利線（記憶體、PMIC、3D AI Foundry）。
核心觀點
力積電 4Q25 虧損收斂，2026 年將轉虧為盈
力積電 4Q25 營收達 125 億元，季增 5.5%、年增 12.2%，優於市場預期，毛利率由負轉正提升至 6.6%；若排除正在出售的銅鑼 P5 廠影響，當季毛利率可達 17%，顯示本業獲利結構已明顯改善。記憶體市場方面，供需結構性失衡態勢明確，供給缺口預期將延續至 2026 年下半年，其中 DRAM 受高階 AI 伺服器需求排擠中低階產能配置影響，帶動 DDR3、DDR4 等利基型產品價格快速上揚，ASP 顯著改善；Flash 則因韓系大廠退出 SLC NAND 市場導致供給收縮，合約價與現貨價同步走升，NOR Flash 客戶驗證已完成並自去年底起開始放量，今年出貨動能可望持續增強，車規產品驗證進展亦維持正向。
其他產品線方面，邏輯代工於 4Q25 出貨持平，但自 2026 年 1 月起在 AI 記憶體排擠效應、去中化布局及 P5 廠轉讓帶動下需求明顯回升；12 吋製程中，DDIC、感測器與 PMIC 自 1 月起調升價格，AI 伺服器 PMIC 已完成驗證並開始放量，手機 PMIC 亦受惠於 5G 用量提升而具中長期成長動能，整體邏輯代工業務已自谷底回升，未來數季需求可望維持供不應求。
整體而言，在多項業務同步復甦並呈現結構性成長動能，加上銅鑼廠出售不僅可一次性挹注現金、亦可顯著降低未來折舊與固定成本負擔的情況下，公司整體營運體質已明顯改善，獲利槓桿逐步顯現，2026 年可望順利實現轉虧為盈。
力積電深化與 Micron 合作，改善營運體質並帶動中長期成長動能
公司表示與 Micron 的合作將聚焦三大面向：分階段轉讓銅鑼廠以取得 18 億美元現金、承接 HBM 後段晶圓代工訂單並由 Micron 預付設備款支持專線產能，以及共同精進 DRAM 技術以提升容量與效能；其中 HBM 後段代工仍處於產線建置與試產階段，最快 2027 年開始貢獻營收，目標 2–3 年內推升 3D AI Foundry 營收占比至約 20%。銅鑼廠轉讓除一次性挹注現金外，亦可逐步消除每年約 45–50 億元的折舊負擔並大幅降低負債，改善現金流與自由現金流，有助公司轉向高毛利產品結構；產線移轉過程將透過預投片與價格調整降低衝擊，對 2026 年營運目標影響有限。
整體而言，與 Micron 的合作案不僅可顯著提升營運效率與財務彈性，亦有助加速公司產品與製程升級、優化成本結構，並為中長期獲利能力與成長動能奠定更穩固的基礎，且隨著與 Micron 關係日益深化，公司未來承接更多高附加價值訂單的能見度亦明顯提升。
Q&A
美光合作與銅鑼廠轉讓
Q1：美光合作情況？三大項目是什麼？
三大項目：(1) 銅鑼廠（P5為主）轉讓獲18億美元現金；(2) 已取得HBM後段代工訂單，美光預付設備款支持購買設備，提供專線生產；(3) DRAM技術精進（從DDR3基礎提升容量與速度，超越4GB及DDR3製程）。合約仍在談判中，細節不便透露。
Q2：與美光合作何時開始貢獻營收與利潤？需要多久時間？
分兩階段。PWF（HBM後段晶圓代工）目前討論產品線架設與試產，今年難見效，最快2027年開始貢獻。目標2-3年內3D AI Foundry（含PWF）營收貢獻約20%。屬剛性需求，雙方承諾深厚，但時程視生產線安裝、驗證、量產爬坡而定。
Q3：與其他廠商的合作洽談是否持續？
與美光確認合作後，短期內無餘力大規模展開其他合作。未來一兩年全力專注技術銜接、工程與商務細節。
Q4：美光技術推進細節？
技術精進將優於原有成果，在原有基礎上顯著提升。細節仍在洽談中，較敏感不便透露。
Q5：銅鑼廠轉讓後折舊減輕效益？毛利何時轉正？
第四季毛利已微幅轉正（全年不再虧損）。銅鑼廠折舊每年45-50億元，轉讓後逐步減輕，約1.5年後消失。整體折舊負擔將減輕。
Q6：銅鑼廠出售所得18億美元現金用途？
主要用於大幅降低負債（銅鑼廠為主要負債來源），交易後負債降至低水位，現金流與自由現金流健康，有能力進行高毛利產品調整。
Q7：銅鑼廠轉讓流程與影響？
已簽binding LOI，最終合約農曆年前後簽署（簽完即公告）。整個銅鑼廠區賣給美光，P6/P7由美光自行規劃，不會在銅鑼擴產。搬遷不影響客戶出貨（預投片、盡量降低衝擊）。
Q8：產線移轉過程是否影響營收、接單效率、產能利用率？
拋棄低毛利產品，轉向高毛利。機台搬回新竹需清理舊設備，但價格調整與記憶體漲價可彌補。對2026年全年目標無調整，信心強烈。
Q9：美光HBM PWF製程是否有檢測設備需求？
有，目前洽談中，美光提供設備清單，多項作業進行中。
Q10：與美光合約簽署後何時公布？
簽完後立即公告（屬重大資訊，需董事會通過）。
3D AI Foundry 與先進封裝產能
Q11：interposer產能爬坡及wafer應用場景？
P5原計劃擴至4,000-5,000片/月，因出售移回新竹，維持此規模。目前量產約2,000片，穩定成長。wafer應用廣泛，聚焦邊緣運算（edge）與物聯網（IoT），如穿戴裝置。
Q12：interposer產能因搬遷影響？何時恢復5K？未來擴大計劃？
搬回新竹後維持4-5K水準，預計 2027 Q1 恢復。是否擴大視整體生意，目前無規劃。
Q13：：WoW（Wafer on Wafer）進度？
上半年少量出貨（因 P5 搬遷），4 層堆疊工程樣品與一線大廠認證順利，預計 2027 年轉量產。8 層堆疊積極開發，良率提升中。
其他
Q14：與塔塔合作今年貢獻？
已累計收到約 1.43 億美元技術服務費，持續收款。今年尚未實際貢獻，視執行情況。印度廠房建設中，預計 2027 下半年開始試產
Q15：與軟銀記憶體開發？
資訊敏感，無法提供相關資料。
Q16：是否轉移部分產能至 Nexchip（合肥晶合集成）？
不會直接轉移，但低毛利客戶（如 DDIC、CIS ）可建議轉至晶合集成承接。
Q17：地緣政治影響？是否感覺國際大廠從大陸轉單？
地緣政治效應持續發酵，歐美客戶不願在大陸下單（即使簡單 IC 或 MOSFET），對力積電有利。Fab IP 業務（如塔塔）態度開放，積極洽談。
Q18：現增部分情況？
董事會通過現增計劃，發行 GDR（公開發售，無特定對象）。股東會預計 4 月召開，盡速完成。稀釋率預計 <10%，資金主要用於 DRAM 製程精進、3D AI 投資。
Q19：今年資本支出情況？
2026 年預計約 3 億美元（可能上修），包含 DRAM 精進與美光討論的技術需求設備。去年部分支出延至今年，實際金額可能不會到 3 億（視搬遷與不確定性）。
Q20：去年第四季產能利用率細節？
整體約 82%。記憶體約 5 萬片近滿載；邏輯超過 80%；8吋 70-80%。未來主力 DDR3，DDR4 視美光技術進度提升。
Q21：功率元件（Power IC、PMIC）產能利用率？
8 吋超過 80%，12 吋以 PMIC 為主，已滿足需求且持續擴大，取代低毛利產品，利用率持續提升。
Q22：下一季出貨量與 ASP？
ASP 每月/每季持續調整（記憶體每月調價；邏輯 12 吋 1 月起、8 吋 3 月起調漲）。不便具體說明，視客戶回饋。
Q23：2026 年 EPS 方向？
基於產能利用率提升、記憶體/代工價格趨勢，持樂觀態度。對 2026年 營收與 EPS 正向發展有信心，但不提供明確預測。
