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華邦電 (2344.TW) Q1 2026 法說會 memo

fiisual

2026/5/5

華邦電 1Q26 財報表現優於市場預期,營收達 382.5 億元,主要受惠記憶體部門價量齊揚,毛利率亦在 ASP 顯著上升與產品組合優化帶動下大幅提升至 53.4%,展現利基型記憶體市場供需結構改善所帶來的獲利彈性。展望後續,NOR Flash 與 SLC NAND 在伺服器、車用及 AI 相關應用需求強勁支撐下,供給吃緊態勢預期延續至 2026 年底,價格上行趨勢明確;CMS 方面,受 HBM 排擠效應與大廠加速退出 DDR4/LPDDR4 影響,結構性供給缺口可能延續至 2028 年以後,加上高雄廠產能由目前 15K 逐步擴增至 24K,並有望與重要客戶簽署三年 LTA,將進一步提升出貨能見度與價格穩定性。中長期而言,CUBE 已開始進入量產討論,定位為高毛利、客製化 Specialty Memory 產品,主要應用於 AI 伺服器周邊,預期 2027 年起將進入重要貢獻期,接續成為公司下一階段成長動能。整體而言,華邦電短期受惠記憶體價格上行與供給缺口擴大,中長期則由 CUBE 產品線推動營運結構升級,未來獲利與評價仍具上修空間。

重點摘要

  1. 華邦電 1Q26 營收 382.5 億元,優於市場預期,主要受惠記憶體部門價量齊揚。
  2. 毛利率 53.4%,季增 11.5 個百分點、年增 27.7 個百分點,主因 ASP 季增高達雙位數。
  3. DDR4/LPDDR4 結構性供給缺口預期將延續至 2028 年以後,短期內供給改善空間有限。
  4. NOR 及 SLC NAND 需求強勁,2026 年底前價格上行趨勢明確。
  5. 預計 2026 年全年資本支出 405 億元,95% 用於記憶體事業。董事會另新通過 73 億元資本支出,其中超過 50 億元用於添購 CUBE 生產設備。
  6. CUBE 已開始進行量產討論,定位為高毛利產品,2027 年將進入重要貢獻期,主要應用於 AI 伺服器周邊。
  7. 待高雄廠產能開出後,將陸續與重要客戶簽訂三年 LTA,確保量與價格區間。

1Q26 財務概況

簡明損益表

單位:百萬元1Q26市場共識QoQYoY
營業收入38,25335,88843.7%91.3%
營業毛利20,41519,18683.2%298.6%
營業利益12,55010,858206.7%-
稅後淨利10,1148,783195.5%-
EPS(元)2.251.96195.5%-

重要財務比率

重要比率1Q26市場共識QoQYoY
毛利率53.4%53.5%11.5 ppts27.7 ppts
營利率32.8%30.3%17.4 ppts37. ppts
淨利率26.4%24.5%13.6 ppts31.9 ppts

營收佔比(依產品)

營收占比(產品)1Q264Q25QoQ ($M)YoY ($M)
CMS47%35%8,58713,065
Flash32%37%2,1645,668
Logic IC21%26%904(420)
Others0%2%--

各產品毛利率

產品毛利率1Q264Q25
Memory57%43%
Logic IC39%34%
  • 總資產大幅成長,主因發行歐元可轉換債券(ECB)約 23 億元 + 本季獲利。
  • 現金流:自由現金流 94 億元,現金部位強健。
  • CapEx:2026 年預計 405 億元(Q1 已執行約 27 億元),95% 用於記憶體事業。

關鍵訊息

CapEx 與產能規劃

  • CapEx 本季降至 40.7 億元,主因設備交期延遲。
  • 董事會新通過 73 億元 CapEx,主要用於 2027 年:
    • CUBE 生產設備超過 50 億元。
    • 高雄廠 Module B 初步規劃(3-4 億元)。
    • Flash 測試機升級,晶圓產能從 2025 年 40K 提升至 2027 年 50K(位元成長預估近 50%)。

Flash 事業重點

  • NOR Flash 仍為全球第一,伺服器/AI占比提升。
  • NAND(尤其是 SLC NAND)占比從兩年前 21% 提升至 32%,持續成長。
  • 預期 SLC NAND 明年整體 NAND 成長 40%,SLC 單獨成長 >80%。
  • 目標:在 Core Storage 維持雙料領導地位
  • 冷儲存(Code Storage)仍是重點,涵蓋 NOR、SLC NAND、QSPI/ONFI NAND。
  • 2D NAND 因 3D NAND 廠逐步退出,出現供給缺口,帶來成長機會。
  • 預期 2026 年 Flash 成長 >20%,2027 年隨產能擴張成長 >40%。

DRAM 事業重點

  • 高雄廠目前 15K 產能,明年擴至 24K。
  • DDR4 / Low Power DDR4 需求強勁,價格 Q2 持續上漲。
  • 庫存可控,下半年逐步去化舊庫存。
  • CUBE已開始量產討論,2027 年進入重要貢獻期,聚焦 AI 伺服器周邊。

市場展望

  • AI 伺服器、資料中心、Switch、企業 SSD 需求強勁,是主要成長動能。
  • 非 AI / PC 市場需求延遲但未消失,長期仍看好。
  • 整體記憶體供給吃緊(尤其 DDR4 / LP DDR4 與 2D NAND),價格趨勢向上。
  • 地緣政治與材料供應風險仍需留意,但客戶長約需求增加。

核心觀點

華邦電 1Q26 財報驚艷,供給缺口短期難以緩解

華邦電 1Q26 營收達 382.5 億元,優於市場預期,主要受惠記憶體部門價量齊揚。其中,CMS 位元出貨量與 ASP 皆呈雙位數季增,Flash 雖位元出貨量季減低十位數百分比,但 ASP 季增達中三十位數百分比,推升整體營收呈現突破性成長。展望未來數季,NOR 與 SLC NAND 需求維持強勁,尤其伺服器、車用及 AI 相關應用供給持續吃緊,2026 年底前價格上行趨勢明確。CMS 方面,受 HBM 排擠效應影響,DDR4/LPDDR4 結構性供給缺口預期將延續至 2028 年以後,短期供給改善空間有限;同時,公司積極擴充產能,高雄廠目前月產能約 15K,明年將擴增至 24K,有望進一步推升營運動能。整體而言,華邦電短期將持續受惠記憶體價格上行趨勢,中長期則有望由 2027 年 CUBE 產品線接手成為重要成長動能,營運展望維持正向。

Q&A

Q1: 請問目前 DRAM 是否有類似 Flash 的參考圖表?

從 2025 年底到 2027 年初,成長預計可達 80%。目前高雄廠產能從 15K 擴增至 24K,產品組合搭配下,位元成長約 80%。此成長不會一次性發生,而是逐月逐步 ramp up,大約需花一年時間。

Q2: 企業 SSD 對 DRAM需求持續增加,主要用於支援 Flash Translation Layer。未來企業 SSD 密度提升,客戶何時會轉向 DDR5?

目前使用 DDR5 的客戶還不多,預計明年或後年才會開始有一些採用(含低功耗 DDR5)。因產能有限,短期仍會優先支援 DDR4 與 Low Power DDR4。客戶已提出希望簽署長達 7~10 年的長期合約,顯示 DDR4 需求仍非常強勁。

Q3: 是否有辦法量化 Winbond 在企業 SSD 所使用的 Kache DRAM 量(位元數或市占)?

目前市場上企業 SSD 多使用 8GB 或 16GB 的緩衝 DRAM,32GB 還很少見。隨著密度提升,未來 Buffer DRAM 用量會持續增加,「越大越好」的原則成立,以提升整體性能。

Q4: 目前大陸記憶體廠的供給情況如何?對 Winbond 有何影響?

資訊有限,NOR Flash 受影響程度約 3-5%。低階客戶受噪音問題影響較小。整體而言,Winbond 客戶並未大量使用中國廠產品,影響可控。

Q5: CUBE 為客製化產品,定價是否會高於一般 DRAM?目前 DRAM 價格已大幅上漲,是否會與客戶重新議價?

對新客戶可能會有更高定價討論,但對原有 CUBE 客戶會遵守最初承諾。Winbond 希望 CUBE 在 AI 時代能維持穩定且較高的利潤率,而非一般消費性產品的低毛利。

Q6: 關於 MLC NAND 的開發進度?

目前並無開發 MLC 的計畫,仍專注於 QSPI 與單層(SLC)產品的成本優化。

Q7: 目前伺服器相關業務曝險有多大?可否拆分中低階市場以及 NOR Flash 在伺服器的占比?

伺服器 DRAM 主要供應周邊與 Switch 使用,主記憶體因需求太大暫不供應。NOR Flash 在伺服器 BIOS 用量約為 PC 的 5 倍左右,低於 PC 的 6-7 倍,未來希望逐步提升至與 PC 相當的比例。

Q8: AI 雖然帶動記憶體結構性成長,但 HBM 集中在少數大廠,台灣廠商在一般記憶體的採用程度是否有限?

AI 需求強勁已排擠非 AI 供給,導致 DDR4 / LP DDR4 等產品供給持續吃緊。未來 Specialty Memory(含 CUBE)與 Commodity 市場將逐漸分道揚鑣,Winbond 將專注於客製化與利基型產品。

Q9: Q1 DDR3 與 DDR4 表現如何?

DDR3 銷售占比低於 20%,價格較 DDR4 高約 10%。雖然需求逐漸減少,但仍有長期客戶需要支持,因此仍會持續供應。

Q10: 目前庫存 252 億元結構如何?DDR3、DDR4、NOR、SLC 各占比多少?下半年去化情況?

Flash 部分幾乎已售罄,僅剩少量週轉庫存。DRAM 部分仍有較多舊庫存,下半年將隨著新產能開出逐步去化,預計到年底前可有效消化。

Q11: 三星近期對 DDR4 / LP DDR4 加速 EOL,對 Winbond 影響為何?下半年價格與供給緊張程度?

三星已轉向先進製程,DDR4 供給將更吃緊。下半年價格預計較 Q1 續揚,供給缺口可能擴大。Winbond 將維持合約價格,並視市場情況調整。

Q12: 是否會與客戶簽署長期合約(LTA)?簽約條件為何?

已開始有客戶主動要求簽署 3 年期 LTA,承諾量與價格區間。待高雄廠新產能明確後,會加速與重要客戶簽署 LTA,以確保長期供需穩定。

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