延續前三篇的討論，fiisual 的 2026 展望系列文也來到最終篇，還沒看過前幾篇的朋友也可以先參考看看。
2026 展望系列文 part 1 - 全球經濟體在 AI 影響下的下一步
重點產業三：記憶體
2026 年 AI 展望的第二條主軸則為供給端明顯吃緊的產業。與 ASIC 與散熱不同，記憶體屬於技術演進成熟、景氣循環明確的產業。然而，AI 帶動的高密度儲存需求持續攀升，同時原廠資本支出大幅投入先進節點與新技術，形成對傳統產能的排擠效應，使整體供需結構明顯偏緊。隨著供給端無法以同樣速度擴張來滿足 AI 驅動的需求增量，記憶體報價自 2025 年起已進入上升週期，並將在 2026 年延續成為供給缺口帶動價格走揚的代表性產業。
記憶體依儲存用途區分，市場聚焦 DRAM 與 NAND
記憶體產品種類眾多，包括 DRAM、NAND、NOR、SRAM 等不同技術。然而在實際市場應用中，DRAM 與 NAND 分別承擔了現代運算系統最核心的兩項功能：運算記憶與儲存記憶。由於這兩者在伺服器、PC、手機與資料中心中的使用量最大、需求最穩定，兩類產品合計占據全球記憶體市場絕大部分的營收與出貨規模。因此，在分析記憶體產業時，市場討論焦點通常集中於 DRAM 與 NAND 這兩大主軸。
NAND Flash 為快閃記憶體，主要對應「長期儲存」需求，是各類裝置保存資料的關鍵元件。 相較於追求即時性的 DRAM，NAND 的讀寫速度雖較慢，但在容量、成本與資料保存特性 上具有明顯優勢。其單位容量大、具非揮發性、可長期保存資料，且成本結構遠低於 DRAM，因此成為主流儲存技術。實際應用涵蓋個人端 SSD、手機與平板的內建儲存空間、車用與工控設備的嵌入式儲存，以及資料中心大量部署的企業級 SSD。這些場景皆需依賴 NAND 作為底層儲存媒介，以因應不斷成長的資料保存與存取需求。
DRAM 則為動態隨機存取記憶體，主要應用於需要即時反應與高頻寬吞吐的運算情境，是各類運算系統的核心主記憶體。 DRAM 的特性是存取速度極快，但單位容量成本較高、容量相對較小，因此更適合作為程式運行時的工作空間與暫存區。無論是伺服器、PC、筆電或智慧型手機，所有系統在執行作業系統與應用程式時，都必須仰賴 DRAM 作為 System Memory，以確保整體運算具備足夠的即時性與資料處理效率。
HBM 由 DRAM 堆疊而成，提供高頻寬、低延遲資料存取能力
HBM（ High Bandwidth Memory，高頻寬記憶體） 是專為 AI 訓練與推理晶片設計的記憶體系統，用於為 GPU 或 AI ASIC 提供極高頻寬、低延遲的資料存取能力。本質上 HBM 屬於 DRAM 的延伸，但其結構與傳統 DRAM 已大幅不同：HBM 採用 TSV 等 3D 堆疊技術，將多層 DRAM die 垂直整合成 stack，並透過大寬度匯流排與高效能封裝，大幅提高單一封裝可提供的有效頻寬，在功耗效率上也顯著優於一般記憶體架構。 也因為這些技術特性，HBM 成為緊鄰 AI 晶片、專門服務高頻寬運算負載的 3D 堆疊 DRAM，是支撐大型模型訓練與推理效能持續提升的必要基礎。
原廠減產 + 超量需求雙重推動 NAND 供不應求
供給端原廠 2024 底開始低 Capex、慢擴產節奏
NAND 供給端相對多元，由五大原廠 Samsung、 SK Hynix、 Kioxia、 Micron、 SanDisk 以及長江存儲（YMTC） 等主要業者共同供應，市占率分布較為分散，使 NAND 市場呈現多寡頭並存競爭格局。
自 2024 年底起，受市場對未來需求轉弱的預期影響，五大 NAND 原廠普遍採取更嚴格的 Capex 控管策略。 2025 年 NAND bit 產出年增預估僅約 11%，Capex 年增亦僅 4%，主要投入在節點升級與既有產線維護，缺乏大規模新增產能規劃。部分廠商甚至延續前一輪循環的供給調節策略，於 2025 年進一步削減投片量，整體減產幅度約落在 5%–30% 之間，其中三星縮減幅度最大。
在主要原廠普遍保守擴產的背景下，僅有長江存儲於中國國產化政策驅動下維持積極擴產步伐，但其產品大多供應中國本土市場，對全球供給結構的影響有限。 因此，全球供應鏈即便在 2025 年出現溫和的投片回升跡象，整體供給仍明顯低於過往高點，產業主旋律仍以價格穩定與獲利修復為優先，而非追求市占快速擴張。
2H25 起 AI 資料中心與企業級 SSD 需求大幅超預期
需求方面，NAND 終端應用橫跨 PC／手機、消費性電子、資料中心與 SSD 等領域，原先市場普遍預期 2025 年消費性電子復甦力道有限，使 NAND 需求大多仍處於庫存調整階段。 然而，自 2H25 起情勢急速反轉：CSP 全面加速 AI 資料中心建置，造成主力儲存媒介 HDD 出現供不應求的缺口。由於 HDD 長交期與過去多年缺乏擴產投資，已無法滿足短期容量需求，迫使 CSP 以企業級 SSD 作為替代，顯著推升 NAND 需求並使整體市場需求超出原先預估。
| SSD | HDD | |
|---|---|---|
| 讀取速度 | 高 | 低 |
| 延遲 | 低 | 高 |
| 單位儲存成本 | 高 | 低 |
| 儲存密度 | 高 | 低 |
| 抗震/噪音 | 較佳 | 較差 |
| 耐用度 | 短 | 長 |
同時，隨著推理 token 數持續攀升、影像生成與多模態應用快速普及，AI Server 在 NAND 耗用結構中的占比大幅提升。AI 與推理工作負載正形成結構性增量，不僅補足傳統需求的疲弱，更重新塑造儲存市場的需求曲線。 預估 2025 年整體 Server NAND 需求將年增 19% 至 321 EB，占全球 NAND 消耗量的比重升至約 30%，成為帶動 NAND 進入新一輪成長周期的核心動能。
供給緊俏延續至 2026，NAND 結構性缺口推升價格上行風險
NAND 價格自 2Q25 起步入復甦軌道，並於 3Q25 明顯轉強，反映供給緊縮與需求回升的雙重拉動。 展望 2026 年，在 AI 資本支出持續增加的背景下，資料中心與企業級 SSD 的需求動能預期將延續強勢。然而，價格走勢的關鍵仍取決於供給端的擴張速度。儘管多家 NAND 原廠已公布中長期擴產計畫，但大部分新增產能最快須待 2027 年後才會陸續開出；至於 YMTC 的實質位元增量亦要到 2026 年以後才會逐步顯現，短期內無法改變全球供給偏緊的結構。
在 AI 基礎設施部署加速的前提下，預估 2026 年全球 NAND 市場約有 2% 的供給缺口，若 SSD 對 HDD 的替代速度快於預期，供給缺口更可能擴大至 5–8%，使價格上行風險顯著加大。
技術 EOL + HBM 資本支出排擠帶動 DRAM 價格上行
DRAM 產品目前以 DDR（ Double Data Rate）系列為市場主流。DDR 為雙倍資料速率的縮寫，最早於 2000 年推出，是繼 SDRAM 之後的下一代標準。 隨著應用對頻寬與效率的需求不斷提升，DRAM 原廠大約每隔數年便會推出新一代 DDR，並在工作頻率、資料傳輸帶寬及功耗效率上持續優化。目前市場已 DDR4 及 DDR5 為主流。
DRAM 的供給結構相較 NAND 更為集中，目前由 Samsung、 SK Hynix 與 Micron 三大原廠主導，合計市占率超過 85%，屬於高度寡占的市場格局。 近年中國長鑫存儲（CXMT）積極擴張，已成為三大原廠之外最具規模的 DRAM 供應商，並在部分中低階產品線快速追趕。台灣方面，南亞科與華邦電亦具備 DRAM 產能，但主要聚焦於特定應用領域，在整體 DRAM 市場中占比約為個位數。
DDR4：成熟規格，但在 EOL 下維持高檔
DDR4 是目前最成熟、滲透率最高的 DRAM 代際，廣泛應用於傳統伺服器、PC／NB、工控設備與車用電子等長生命週期產品。 這類應用普遍具有認證周期長、設計變更成本高、對價格與系統穩定性高度敏感等特性，因此即便 DDR5 已成為主流升級方向，DDR4 在許多既有平台中仍難以快速全面被取代。
原廠 DDR4 進入 EOL，台廠受惠轉單效應
隨著新一代記憶體技術持續推出，其性能與內含價值不斷提升，當新製程的量產成本逐漸逼近舊世代產品時，原廠通常會將產能配置轉向毛利結構更佳的新一代記憶體。也因此，DDR4 自 2025 年起正式進入原廠的 EOL（ End of Life）階段，產能重心加速轉向 DDR5 的趨勢愈加明確。
各大原廠原先已規劃明確的 DDR4 EOL 時程：Samsung 預計於 4Q25 將 DDR4 月投片比重降至「中個位數」%，並於 2H26 再降至中低個位數；SK Hynix 則計畫在 2Q26 前完全終止 DDR4 生產。然而，情勢在 2025 年年中出現明顯轉折——美國對等關稅引發終端備貨需求大幅上升，加上原廠 EOL 訊息持續釋出，下游品牌與模組廠對供應風險的擔憂升溫，為確保後續生產所需的 DDR4 供給，紛紛提高報價搶貨，原廠因此陸續延後 EOL 時程。
| 原先 EOL 時程 | 調整後 EOL 時程 | |
|---|---|---|
| Samsung | 2H25 大幅降至「中個位數」比重 | 延長供應至 2026 年中 |
| SK Hynix | 2Q26前完全終止 DDR4 生產 | 延長供應至 4Q26 |
| Micron | 2025 年底～1Q26 EOL 多數 DDR4 產品線，只保留少部分應用 | - |
| CXMT | 2Q25 正式啟動 DDR4 EOL | 2026 年有限的 DDR4 供應 |
雖然多數 DRAM 原廠因 DDR4 價格自 2025 年起大幅上漲而選擇延後 EOL 時程，但整體方向仍是逐步將產能轉往 DDR5，DDR4 供給量持續呈下降趨勢，然而在終端應用未能趕上迭代速度的情況下，使得仍以 DDR4 為主力產品的台廠南亞科與華邦電反而在轉單效應下受惠，並逆勢擴大產能以填補市場缺口。根據調查，南亞科 2026 年 DDR4 月投片量將達 52 kwpm，將正式超越 Samsung 與 SK Hynix，成為全球最大 DDR4 供應商；華邦電則預計在 2026 年提升至約 15–18 kwpm 的 DDR4 月產能，在原廠加速 EOL 後承接更多市場需求。
整體而言，雖然全球 DRAM 大廠正加速導入 DDR5，但 DDR4 在長週期應用仍具剛性需求，使台廠在此次供給收斂與轉單過程中獲得難得的結構性成長機會。
長生命週期應用支撐 DDR4 剛性需求
DDR4 為目前最成熟、滲透率最高的 DRAM 類型。儘管大多數 PC、伺服器等終端應用正逐步轉向 DDR5，但工控、車用、網通等長生命週期產品仍存在穩定且不可替代的剛性需求。 由於這些系統的設計規格通常無法直接相容 DDR5，且重新驗證周期長、成本敏感，使 DDR4 在中期內仍具相當需求量。
整體而言，預估 2026 年 DDR4 位元需求仍可維持在約 192bn Gb，顯示 DDR4 雖進入成熟期，但在特定應用市場仍具備不可忽視的需求規模。
DDR4 供給收斂幅度遠大於需求下滑，2026 年供不應求格局確立
綜合 DDR4 的整體供需狀況觀察，雖然終端需求呈現緩步下滑，但供給端因原廠積極推動 DDR5、加速 DDR4 EOL，使供給下降幅度遠高於需求收斂速度，形成明顯的供不應求格局。更重要的是，主要 DRAM 原廠均已重申不會逆勢恢復 DDR4 產能，確立 2026 年 DDR4 將持續處於供給緊俏的結構。
在價格方面，依據上一輪 DDR3 → DDR4 迭代經驗可見，舊世代記憶體在供給快速萎縮時，曾出現 DDR3 報價短期高於 DDR4、且高檔維持約三個季度的現象。本輪循環中，自 2025 年 6 月起 DDR4 報價即已正式超越 DDR5，顯示市場供需已進入典型的供給稀缺階段。按照歷史經驗推算，DDR4 的高檔價格區間至少可維持至 1Q26。
然而，本輪需求動能更強於上一輪，包括工控／車用等長週期應用的驗證進度推遲、以及 Server 端需求優於預期，均使 DDR4 在 2026 年上半年仍具高度需求支撐。因此預期 DDR4 報價強勢行情有望延續至至少 2Q26，甚至有機會比過往循環維持更長時間，關注指標為長週期客戶更改設計與驗證的進度及 DDR4、 DDR5 價差。
DDR5：主流規格，需求帶動價格上行
DDR5 相較於 DDR4 具備更高頻寬、更佳效能，是新一代高階 DRAM 的主流方向，其需求主要來自三大應用領域：在伺服器端，隨著高核心數 CPU 與 AI 加速器平台加速普及，單機記憶體容量持續提升，使 DDR5 成為企業級伺服器與 AI 伺服器平台的標準配置。在 PC 市場，AI PC 與 Windows 10 EOL 所帶動的換機潮，使 DDR5 在消費性裝置中的滲透率快速提高，成為新世代 PC 的基礎規格。行動端則以 LPDDR5／LPDDR5X 為主要對應技術，雖類型稍有不同，但同樣屬於新世代高階 DRAM，反映出與 DDR5 一致的技術世代與性能定位。
DDR4 EOL 推升 DDR5 滲透，惟 HBM 排擠效應使供給難以同步成長
受惠於 DDR4 EOL 帶來的產能轉移效應，2025 年 DDR5 滲透率將提升至整體 DRAM 市場的約 80%，成為主流規格。然而，DDR5 的供給擴張並非線性成長，仍受到多項結構性因素限制：
首先，全球 DRAM 投資節奏依舊保守。 原廠的擴產策略以製程轉進與產品組合調整為主，而非大幅拉高 wafer starts，意味 DDR5 供給的成長幅度主要來自單位 wafer 產出效率提升而非新增產能。第二，HBM 的急速成長對 DDR5 形成明顯排擠。 隨著 HBM 堆疊層數不斷提升、單顆所需 DRAM die 大幅增加，三大原廠必須優先將先進節點 wafer 配額投入 HBM 生產，再以剩餘產能支應 DDR5，使 DDR5 的有效供給受到壓縮。
展望 2026 年，DDR5 的供給格局將延續 2025 年的趨勢。由於 HBM 需求持續高速成長、堆疊層數不斷提高，其對先進節點 wafer 配額的排擠效應仍將壓縮一般 DRAM 的有效產能，使 DDR5 擴產速度維持相對緩慢。 真正的供給反轉需待 2027 年之後，當原廠新產能陸續開出、HBM 良率與製程成熟度提升，並逐步釋放先進產能瓶頸，DDR5 才可能迎來較明顯的供給改善。
Server 備貨需求遠超預期，加劇 DDR5 供需失衡
DDR5 的需求結構主要來自 Server、 PC 與智慧型手機三大領域。 其中，2025 年 DDR5 報價之所以走強，關鍵在於 CSP 對 Server 記憶體的備貨需求遠超市場原先預期。為降低供應吃緊所帶來的風險，CSP 亦提前拉高 2026 年的記憶體訂單量，以確保來年庫存安全水位。此一集中式備貨行為使 DDR5 需求在高檔維持時間延長至 2026 年底，不僅推升伺服器端採購強度，也進一步排擠 PC 與行動裝置等其他應用的可用供給，使 DDR5 市場呈現持續緊俏格局。
DDR5 供需缺口擴大，緊俏格局與價格漲勢將持續至 2026 年底
綜合 2025–2026 年 DDR5 的供需情況觀察，雖然供給在製程轉進與產品組合調整下緩步增加，但整體增幅明顯落後需求成長速度，使市場自 2025 年起呈現結構性的供不應求，DDR5 報價亦持續上行。其中，原廠擴產資源優先配置給 HBM，使 DDR5 可分配產能受限，加上 CSP 對 2026 年的備貨需求已大部分提前鎖定，使得有效供給更加緊縮。整體而言，DDR5 的緊俏格局與價格上行趨勢可望延續至 2026 年底，供需缺口短期內難以緩解。
DDR4／DDR5 同步陷入結構性短缺，2H26 為價格反轉關鍵
整體而言，DDR4 的供給下降速度明顯快於需求收斂速度，而 DDR5 則呈現需求成長速度遠高於供給擴張速度的格局，兩者最終均導向結構性的供不應求，使價格持續走升。 目前 DDR4 漲幅大於 DDR5，顯示市場對 DDR4 稀缺性的反應更為強烈，後續需密切觀察兩者價格差的變化，以研判跨世代產品的替代節奏與下游採購策略變化。
至於價格反轉的時間點，核心仍取決於供給端的實際擴張速度。雖然多數原廠已釋出自 2027 年起將啟動新一輪產能擴張的方向，但目前尚未提供明確的量產節點，使 2H26 成為關鍵觀察期。屆時需要密切追蹤原廠的擴產實際進度、先進節點轉換效率與良率爬升情況，以判斷 DRAM 供需是否可能由緊轉鬆，進而掌握價格周期可能反轉的時點。
HBM 為未來數年 DRAM 的核心成長動能
HBM 是專為 GPU 與 AI ASIC 設計的高頻寬記憶體，透過 TSV 垂直貫穿技術將多顆 DRAM die 以 3D 堆疊方式整合，再藉由 2.5D／3D 先進封裝與 GPU/ASIC 置於同一載板或封裝之內，以取得每秒數 TB 等級的極高頻寬與優於 DDR5 的每位元能耗表現。 在系統架構中，HBM 目的並非長期資料儲存，而是為大模型訓練與推論提供即時、高吞吐的工作記憶體，以突破傳統 DRAM 所面臨的記憶體牆瓶頸。因此，HBM 的需求高度綁定 AI 加速器的出貨節奏，被視為 AI 時代最關鍵的 DRAM 子產品線。
HBM 亦為未來數年 DRAM 主要成長動能。從市場結構來看，HBM 在 DRAM 整體價值中的占比已由 2022 年的 1% 急速攀升，有望在 2026 年達到約 42%，顯示 DRAM 收入重心正快速向 AI 加速器傾斜；在 bit demand 面，HBM 亦從 2022–2024 年的 1%／4%／7% 加速提升至 2025E 的 17% 與 2026E 的 31%。展望中長期，HBM 市場規模至 2027 年可望突破 1,000 億美元，其位元需求成長速度將長期超越整體 DRAM，成為 DRAM 主要產品。
2026 年 HBM 早期世代供需漸平衡，唯 HBM4 仍維持結構性緊俏
由於 HBM 技術門檻極高，目前全球供應高度集中於 SK Hynix、 Samsung 與 Micron 三家原廠。其中，SK Hynix 以在 HBM3E 世代的製程、堆疊與功耗優勢取得約 80% 的市場占有率，並在 HBM4 的認證與客戶導入進度上明顯領先同業，持續穩居產業領跑者地位。
不過，隨著 Samsung 與 Micron 陸續通過 HBM3E 與 HBM4 認證、加速與主要 CSP 與 GPU 業者的合作，其市場競爭力已開始改善，預期將逐步削弱 SK Hynix 在 HBM 市場的定價權與議價優勢。儘管如此，SK Hynix 仍在技術成熟度、量產經驗與客戶綁定度上佔據領先位置，短期內仍為 HBM 供應鏈的主導者。
2025 年 HBM 市場因原廠擴產尚未到位、且 Samsung HBM3E 因散熱相關設計調整使驗證進度落後，整體供給明顯低於需求，市場處於高速擴張與嚴重供不應求階段，定價權完全掌握在原廠手中。
然而進入 2026 年後，隨著三大原廠擴產陸續到位、Samsung 亦完成 HBM3E 認證，HBM 整體供給將明顯提升，帶動早期世代產品逐步邁向供需平衡。HBM2E／HBM3 以及 Samsung 最新取得認證的 HBM3E，預期在 2026 年陸續進入供需相對均衡階段，價格支撐力較 2025 年明顯弱化。相較之下，最新一代 HBM4 在 2026 年仍處於初始量產階段，目前僅 SK Hynix 通過早期驗證（Samsung、Micron 預計於 4Q25 公布認證結果）。在認證進度差異、可用產能有限，以及 Rubin 與 CSP 自研 ASIC 對 HBM 需求強勁的背景下，HBM4 將成為唯一仍維持結構性供給緊俏的世代。
GPU 與 ASIC 世代升級，帶動 2026 年 HBM 位元需求加速成長
HBM 的需求主要來自 GPU 與 ASIC 兩大領域，其中 GPU 對頻寬與容量的要求高於 ASIC，使其成為帶動 HBM 世代升級的核心動能。 以 2025 年產品規格來看，NVIDIA GB200／GB300 分別採用 HBM3E 8-high／12-high，AMD MI350 則導入 HBM3E 12-high；相較之下，CSP 自研 ASIC 多以 HBM3E 8-high 為主，規格相對溫和。
進入 2026 年後，隨著新平台陸續推出，HBM 規格需求將同步上移。預期於 2H26 上市的 NVIDIA R100 將正式採用 HBM4 12-high，成為下一波位元需求成長的主引擎；同時，近期出貨預估不斷上修的 Google TPU v7 也將從 HBM3 升級至 HBM3E，加速推升 2026 年 HBM 的位元出貨量。
整體而言，GPU 世代更新與 ASIC 滲透率提升將共同驅動 2026 年 HBM demand 加速成長，使 HBM4 與 HBM3E 成為市場的主流需求來源。
HBM3E 價格回落，唯 HBM4 持續維持強勢定價力
HBM 的 ASP 受到供需雙重因素牽動。供給面中，由於 HBM 為 DRAM 中毛利最高的產品，原廠在擴產策略上皆將其列為優先投入對象，因此產能開出速度將直接左右 ASP 的走勢。需求面則由於 HBM 幾乎以「一年一代」的速度更新，當新產品推出後，下游客戶會迅速轉向新世代，導致舊世代產品的 ASP 明顯下滑。
在此背景下，2026 年將迎來 HBM 價格結構的重要轉折：隨原廠擴產陸續完成、且 HBM4 認證進展加速，整體供給環境將由 2025 年的高度緊俏轉向供給改善，使 HBM3E 首當其衝面臨價格壓力，ASP 預期在 2026 年 年減約 17%，反映市場逐步邁入供需再平衡。
然而，最新一代的 HBM4 仍處於初期量產階段，且認證時程與技術成熟度在三大原廠間存在分歧；同時 Rubin 與 CSP 自研 ASIC 的強勁需求持續支撐高規格 HBM 採用，使 HBM4 在 2026 年仍維持高度緊俏。因此，在所有 HBM 世代中，HBM4 將是唯一能在 2026 年維持強勢定價能力的產品線。
小結：2026 年記憶體全面轉入供不應求，NAND 受惠最高
整體而言，NAND 與 DRAM 均預計在 2026 年進入因供給收斂所導致的結構性供不應求階段；HBM 雖有部分世代逐步邁向供需平衡，但 HBM4 的初期緊俏與位元出貨的大幅增加仍將推動市場維持強勁成長。
在三大記憶體產品線中，NAND 的受惠程度預期最為明顯，主要因為供給端持續下降的同時，需求端自 AI 資料中心與企業級 SSD 所帶來的增量遠超市場原先預期。 綜合供需雙強動能，NAND 供應商在 2026 年有望迎來獲利與價格動能同步走強的最有利環境。
台灣焦點個股
台灣記憶體相關企業多位於產業中下游，包括承接原廠訂單的模組廠與封測廠，其獲利高度受制於原廠產能配置與價格循環，對 DRAM／NAND 報價變動具高敏感度。因此在 2026 年全球記憶體邁入供不應求週期時，台灣焦點個股可關注較不受原廠供給策略影響、深耕利基型市場、或掌握高毛利關鍵技術的廠商。
群聯（8299.TW）
群聯為全球領先的 NAND Flash 控制 IC 與模組整合方案供應商，合作客戶涵蓋 Kioxia、 Micron、 Kingston、 Seagate 等國際記憶體品牌與原廠。群聯的商業模式依客戶需求區分為純控制器銷售與模組整機出貨兩大方向。過去群聯以消費型 USB／記憶卡為主要市場，但隨產品組合持續升級，至 3Q25 非消費性應用占比已達 80% 以上，反映公司已成功轉型為全方位儲存解決方案供應商。
展望 2026 年，群聯的成長動能將主要來自三大方向：
- 企業級 PCIe Gen5 SSD 業務與 DDN 合作，有望使企業級 SSD 在 2025/2026 年營收比重提升至約 10%/14%，成為未來兩三年的核心成長引擎。
- aiDAPTIV+ 軟體方案預期 2026 年起將逐步打入 PC 與邊緣裝置，搭配自家控制器與模組形成一體化解決方案。
- 憑藉長期與 NAND 原廠合作關係與穩定供應鏈管理，在 2026 年 NAND 供給趨緊、原廠產能幾乎售罄的環境下，群聯仍能取得充足供給與 BT 基板資源。
整體來看，群聯 2026 年在價格循環強勢、企業級 SSD 放量與 aiDAPTIV+ 商業化動能推動下，公司有望維持高成長與高獲利韌性，並鞏固其於全球 NAND 控制器與儲存模組供應鏈中的關鍵樞紐地位。
華邦電（2344.TW）
華邦電為台灣利基型記憶體 IDM 廠商，營運主軸涵蓋 Code Storage Flash、客製化記憶體解決方案 CMS、以及轉投資新唐的 MCU 與其他邏輯 IC 業務，是全球前五大 DRAM 製造商之一。
展望 2026 年，華邦電將同時受惠於三大成長動能：
- DDR4 與利基型 DRAM 產能持續收斂，利基 DRAM 供給出現長期缺口，帶動 DDR3/DDR4 報價自 2H25 起上漲並可望延續至 2026 年。
- NOR 受原物料成本上升與終端需求回溫推動，自 3Q25 起價格進入溫和上升趨勢，SLC NAND 則因供給吃緊與工業、車用與伺服器需求支撐，預期 4Q25 起漲勢延續。
- 大幅擴張資本支出與 CUBE 中長期放量，奠定後續成長曲線。
整體而言，華邦電以利基型 DRAM＋NOR/SLC NAND＋CUBE為核心的差異化策略，成功避開與韓系與美系記憶體大廠在標準型 DRAM/NAND 上的正面競爭，成為全球利基記憶體與 NOR 市場的重要供應商。隨著 AI 應用帶動的記憶體上行循環延續至 2026 年以及 16nm DRAM 與 CUBE 中長期量產，華邦電有望在 2026–2027 年迎來營收與獲利爆發。
