SEMICON Taiwan 2026 於 9 月 2 日至 4 日於台北南港展覽館一、二館舉行,展出主題涵蓋 AI 晶片、先進製程、先進封裝、矽光子、量子運算與 HBM 等關鍵技術。本屆展會所傳達的核心趨勢在於,先進封裝的角色已由傳統後段製程進一步提升為系統整合的關鍵環節;同時,隨 AI 運算規模持續擴大,系統效能瓶頸亦逐步由單一晶片的運算能力,轉向記憶體頻寬、晶片間 I/O 效率與資料搬移能耗等複合性限制。整體而言,產業競爭的核心正由單純追求運算速度,進一步轉向如何提升資料傳輸效率與系統整合能力。
客戶結構逐步分散,製程瓶頸解決方案成展會主軸
與往年相比,本屆展會最明顯的變化之一在於設備廠商的客戶結構趨於分散。過去參展設備商的訂單高度集中於台灣主要晶圓代工客戶,本屆則可觀察到 OSAT 廠拉貨力道明顯增強,美系 IDM、記憶體廠,以及德州 Terafab 相關供應鏈台廠皆陸續傳出新進展與設備送驗,顯示先進製程與封裝設備需求正由單一大型客戶逐步擴散至更多應用與客戶群。
另一項顯著變化在於,針對實際生產瓶頸的解決方案已成為本屆展會主軸,翹曲控制、溫控、精密對位與微污染防治等相關設備的展出密度明顯高於往年,其中 CPO 與 TGV 相關方案更大幅增加。 隨先進封裝持續朝更高整合度發展,玻璃材料導入所衍生的製程難度,以及光學元件對精密對位與製程控制的高度要求,均形成新的技術門檻,也使具備相關設備與製程能力的廠商更具競爭優勢。
此外,多家設備商亦主動提及導入 AI Agent,以優化設計、製程調校與問題排除流程,其中以精測發表的智慧代理系統 Agent P 最具完整性。 供需面亦釋出偏正向訊號,部分設備交期已由原先約 6 至 9 個月進一步延長至 9 至 12 個月。儘管近期市場持續出現 AI 晶片升級或規格下修等雜音,目前尚未明顯影響設備端的升級與拉貨動能,反映下游資本支出與先進製程、封裝設備需求仍維持強勁。
先進封裝:FOPLP 逐漸開花結果
FOPLP 為本屆先進封裝領域中最具結構性意義的發展方向之一。 2024 年主流高階封裝面積約為單一光罩極限的 3.3 倍,預期至 2030 年將進一步提升至 14 倍,甚至超過 20 倍。隨封裝尺寸持續放大,圓形晶圓的面積利用率明顯下降,相較之下,方形面板利用率可達 95% 以上,因此在大尺寸先進封裝應用中,FOPLP 具備更佳的材料利用效率,整體生產成本可望較晶圓級方案降低約 30% 至 50%。
目前各廠商的技術與量產路徑已逐步分化。日月光 (3711.TW) 以 310mm 方形面板作為標準化切入點,已完成 8 層高密度 RDL 開發,並規劃先以大型面板完成前段製程,再切割為四塊 310mm 面板,以銜接既有自動化組裝產線;製程方面則導入狹縫式塗佈與 LDI 雷射直接成像,大幅提升光阻利用效率。 力成(6239.TW) 則透過 Clear 與 Pidal 平台實現 1μm 線寬線距及上下合計 10 層的高密度 RDL,目前已交付封裝面積達 5.5 倍光罩尺寸的 AI 加速器產品。傳統面板廠亦積極切入,群創 (3481.TW) 已利用 700×700mm 玻璃基板量產車用 RFIC,良率達 99.5%;友達(2409.TW) 則與康寧合作展示鍍銅 TGV 玻璃核心基板,由雙方分工完成雷射打孔與銅金屬化製程,顯示既有面板製造能力正逐步延伸至先進封裝領域。
![]()
不過,FOPLP 目前仍面臨多項關鍵技術瓶頸。隨面板尺寸放大,翹曲控制、氣流均勻性與電鍍均勻度等製程難度均明顯提升;另一方面,玻璃材料的導熱能力低於矽中介層,在高功耗 AI 晶片應用下亦將增加散熱設計難度。 依元大預估時程,目前面板級封裝量產線仍處於驗證階段,預計於 2027 年下半年確認量產設備規格,2028 年上半年設備開始大量出貨,終端產品則可望於 2028 年下半年至 2029 年上半年進入較大規模量產,顯示 FOPLP 短期仍以製程驗證與設備投資為主,真正進入規模化貢獻階段仍需等待 2028 年之後。
矽光子與 CPO:技術路徑收斂,測試與光學對位成關鍵瓶頸

CPO 為本屆 SEMICON Taiwan 最受關注的技術主軸之一,核心驅動力來自日益明顯的 I/O Wall。 台積電 (2330.TW) 指出,AI 晶片算力每兩年約成長 3 倍,但記憶體頻寬與晶片間 I/O 頻寬僅分別成長 1.6 倍與 1.4 倍,傳統銅線已逐步逼近高頻、長距離傳輸極限,推動資料傳輸架構加速由電轉光。台積電目前以 COUPE 為主要技術平台,透過 SoIC-X 整合 EIC 與 PIC,並發展 CPO-MCM 與 CPO-OOI 兩種架構;日月光則由封裝端切入,透過 FOCoS-Bridge 推進光引擎與運算晶片整合。整體而言,產業技術路徑已逐步收斂至高密度光電整合與光引擎近晶片化。
相較架構選擇,測試與光學對位已成為 CPO 量產真正瓶頸。目前耦合損耗需控制於 0.3dB 以下,但製程與組裝段仍多落在 0.5 至 1dB;可拆卸式光纖陣列的對準誤差亦需控制在 0.3 度以內。此外,光電雙端測試設備單台重量可達 6 至 8 噸,對廠房承重、微振動控制與設備整合提出更高要求。
台灣設備商亦已加速進入驗證階段,包括 鴻勁(7769.TW) 布局 Insertion 4 光電同測,旺矽 (6223.TW) 、漢測(7856.TW) 推進 Insertion 2 與 3,萬潤 (6187.TW) 與 惠特 (6706.TW) 聚焦 FAU 耦合與貼合設備,汎銓 (6830.TW) 則切入光電雙端測試,鈦昇 (8027.TW) 則以雷射加工降低 FAU 製程成本。整體而言,CPO 技術方向已逐步明確,後續產業能否真正進入規模化量產,關鍵將落在測試標準建立、光學對位效率提升,以及設備端能否同時兼顧精度、速度與成本。
延伸閱讀|矽光子產業介紹 & CPO是什麼?
記憶體:由基本零件轉向戰略資源,頻寬、能效與架構全面升級

隨記憶體供需持續吃緊,價格上漲已成為市場趨勢。面對成本攀升,本屆記憶體高峰論壇所傳達的核心訊息在於,記憶體已由傳統電子零組件逐步轉變為決定 AI 系統效能與整體成本的戰略性資源。 隨 AI 模型規模快速擴張,GPU 運算效能成長速度明顯高於 HBM 頻寬,且資料搬移所需能耗遠高於實際運算,使記憶體成為 AI 基礎架構的主要瓶頸。目前 HBM 已占 AI 加速器成本約 70% 至 75%,因此即使記憶體價格持續上升,產業決策邏輯亦由單純追求最低 TCO,逐步轉向以 TVO 或其他單位 Token 數量來衡量整體投資效益,更重視記憶體對系統效能、能耗與產出效率所創造的價值。
TCO(Total Cost of Ownership,總持有成本): 衡量一套設備從買進到使用期間的總成本。不只是晶片採購價格,還會包含伺服器、電力、散熱、機房、維護等成本。
TVO(Total Value of Ownership,總持有價值): 相較於 TCO 更偏向「投資報酬與產出效率」的衡量框架,進一步評估這些投入能夠轉化為多少實際業務價值與運算產出。
各大記憶體廠的技術路徑亦由單純提升容量,轉向垂直堆疊、近存運算與記憶體池化。 Samsung 透過 Z-HBM 與 PIM 將邏輯運算更靠近記憶體,Micron 推進 Memory-on-Logic 架構,SK Hynix 則將客製化邏輯整合至 HBM Base Die,並透過 CXL 建立共享記憶體池,核心目標皆在降低資料搬移能耗並提升有效頻寬。
此外,NAND 的定位亦由儲存裝置逐步延伸至 AI 推論記憶體階層,SanDisk 以 HBF 提供較低成本的大容量方案,Google 與群聯亦分別透過記憶體分層、KV Cache 優化及本地化 AI 架構提升資源使用效率。 整體而言,未來 AI 記憶體競爭重點已不再只是堆疊更多容量,而是如何以更高頻寬、更低能耗與更有效率的資源配置支撐 token 產出,記憶體的重要性也因此由零組件層級提升至系統架構層級。
廠務耗材:製程升級與擴產帶動在地供應鏈成長
台積電持續推進先進製程與 3D 架構,後續 A12 將導入晶背供電,邏輯、記憶體與封裝亦同步朝更高層數與複雜度發展,進一步增加薄膜沉積、蝕刻、CMP 與廠務系統需求。 擴產方面,台積電 2026、2027、2028 年在建案量至少分別達 16、16 與 5 座,並同步推進高雄白埔產業園區,強化先進封測與設備驗證量能,整體資本支出與在地供應鏈需求仍維持高檔。
在製程升級與擴產雙重帶動下,耗材與廠務設備迎來明確成長動能。 中砂 (1560.TW) CMP 鑽石碟於 3nm、2nm 製程市占已達 70% 至 80%,1.4nm 亦開始出貨,而晶背供電導入可望額外增加約 20% 至 25% 的 CMP 道數。鈺祥(7909.TW) 受惠微污染防治需求提升,目標 2028 年營收達 2025 年既有業務的 5.4 倍;銳澤(7703.TW) 則已取得美系記憶體台灣廠二次配統包案,在手訂單提升至約 30 億元;群翊 (6664.TW) 亦表示 2026 年訂單已滿、2027 年接近滿載,並開始觀察 2028 年後需求。另一方面,台積電 2025 年間接原物料在地採購比例已達 66%,零配件則提升至 48%,並持續朝 2030 年零配件在地採購 60% 的目標推進,顯示隨製程複雜度提升、擴產加速與供應鏈在地化深化,台灣耗材與廠務設備商可望持續受惠。
測試:AI 晶片複雜度推升需求,晶圓散熱開啟台廠新機會
測試為本屆展會中成長動能最明確的領域之一,主要驅動力來自 AI 晶片測試時間延長與複雜度提升。 隨高階晶片功耗突破 1,000W、Socket Pin Count 提升至 10k 以上,高階 Socket 與探針卡需求同步增加。穎崴 (6515.TW) 推出 Hypersocket,鎖定 100×100mm² 以上、20,000 Pin 以上的大尺寸高腳數架構,以複合式彈性橡膠體取代傳統探針接觸,降低錫球損傷風險,但單價較現行 Coaxial Socket 高約 30%。精測 (6510.TW) 則展出 45,000 針的 2-Die MEMS 探針卡,並完整布局四大測試環節,產能於 2026 年 8 月底已較 2025 年底倍增,並規劃於 2027 年上半年再增加 50%,反映高階測試需求持續升溫。
另一項值得關注的新需求為晶圓散熱。台積電於先進測試論壇多次指出,過去溫控設備主要集中於 FT Handler、Burn-in 與 SLT Handler,未來 Prober 機台上亦須導入氣冷、液冷與多點式感測器,以因應高功耗晶片在晶圓測試階段的散熱需求。 目前 Prober 市場主要由 TEL 與 TSK 主導,漢測與鴻勁皆已投入相關研發與驗證,顯示晶圓級散熱有望成為先進測試的新成長環節,並為台廠帶來替代機會。
結論
SEMICON Taiwan 2026 的核心訊息可歸納為三條相互連動的主線。
首先,大尺寸化成為本屆展會多數議題的共同起點。隨 AI 封裝面積預期於 2030 年前擴大至單一光罩極限的 14 至 20 倍,直接帶動 FOPLP、玻璃基板、翹曲控制與高針數測試介面等需求,也使 12 吋圓晶圓在超大尺寸封裝下的成本效益開始受到實質挑戰。
其次,CPO 已由「是否會發生」進入「如何量產」階段,台積電 COUPE 與日月光 FOCoS-Bridge 等技術路徑逐步明確,真正瓶頸轉向耦合損耗、光學對位速度與尚未完全標準化的測試規格,後續將直接影響設備商能否掌握產業由 0 到 1 的成長機會。
第三,記憶體正由成本項目升級為系統架構的一部分。當 HBM 占 AI 加速器成本比重已超過七成,產業開始透過分層記憶體、HBF、PIM 與 CXL Memory Pool 等方案改善頻寬與資源利用效率,記憶體廠的角色亦逐步由零組件供應商轉向系統架構的共同設計者。
